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Transistori - FET, MOSFET - Unicu

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FQPF20N06L
ON Semiconductor

FQPF20N06L

partiture parte: 57269

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 15.7A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 7.85A, 10V,

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NTMFS4H01NFT3G
ON Semiconductor

NTMFS4H01NFT3G

partiture parte: 22706

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 25V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 54A (Ta), 334A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7 mOhm @ 30A, 10V,

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FDD050N03B
ON Semiconductor

FDD050N03B

partiture parte: 199639

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

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FDB2552
ON Semiconductor

FDB2552

partiture parte: 57289

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 150V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), 37A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 16A, 10V,

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MCH3478-TL-W-Z
ON Semiconductor

MCH3478-TL-W-Z

partiture parte: 196866

Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V,

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MCH3479-TL-W
ON Semiconductor

MCH3479-TL-W

partiture parte: 114695

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

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FDD6630A
ON Semiconductor

FDD6630A

partiture parte: 167158

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 21A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 7.6A, 10V,

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FDB070AN06A0
ON Semiconductor

FDB070AN06A0

partiture parte: 59371

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), 80A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 80A, 10V,

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NVATS5A112PLZT4G
ON Semiconductor

NVATS5A112PLZT4G

partiture parte: 163879

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 27A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 13A, 10V,

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ECH8315-TL-H
ON Semiconductor

ECH8315-TL-H

partiture parte: 175911

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3.5A, 10V,

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FDPF190N15A
ON Semiconductor

FDPF190N15A

partiture parte: 29084

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 150V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 27.4A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 27.4A, 10V,

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NTP6410ANG
ON Semiconductor

NTP6410ANG

partiture parte: 34781

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 76A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 76A, 10V,

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FQB6N80TM
ON Semiconductor

FQB6N80TM

partiture parte: 27873

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 800V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 5.8A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95 Ohm @ 2.9A, 10V,

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FDB035N10A
ON Semiconductor

FDB035N10A

partiture parte: 24746

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 75A, 10V,

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MCH3383-TL-W
ON Semiconductor

MCH3383-TL-W

partiture parte: 186098

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 12V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 2.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69 mOhm @ 1.5A, 2.5V,

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FQD19N10TM
ON Semiconductor

FQD19N10TM

partiture parte: 190200

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 15.6A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 7.8A, 10V,

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FQB33N10LTM
ON Semiconductor

FQB33N10LTM

partiture parte: 95450

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 33A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 16.5A, 10V,

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HUF75639S3ST
ON Semiconductor

HUF75639S3ST

partiture parte: 54485

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 56A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 56A, 10V,

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FQD8P10TM-F085
ON Semiconductor

FQD8P10TM-F085

partiture parte: 138

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 6.6A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 3.3A, 10V,

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FDP047N08-F102
ON Semiconductor

FDP047N08-F102

partiture parte: 114

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 75V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 164A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 Ohm @ 80A, 10V,

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CPH6443-TL-W
ON Semiconductor

CPH6443-TL-W

partiture parte: 103186

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 35V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 3A, 10V,

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MCH3374-TL-E
ON Semiconductor

MCH3374-TL-E

partiture parte: 174170

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 12V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

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CPH6444-TL-W
ON Semiconductor

CPH6444-TL-W

partiture parte: 190869

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 2A, 10V,

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FQD4P25TM-WS
ON Semiconductor

FQD4P25TM-WS

partiture parte: 76

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 250V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 3.1A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 Ohm @ 1.55A, 10V,

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FQD7N20LTM
ON Semiconductor

FQD7N20LTM

partiture parte: 186597

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 200V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 2.75A, 10V,

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NTNS3190NZT5G
ON Semiconductor

NTNS3190NZT5G

partiture parte: 188849

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 224mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 100mA, 4.5V,

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NCV8440ASTT3G
ON Semiconductor

NCV8440ASTT3G

partiture parte: 158511

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 59V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 2.6A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.6A, 10V,

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FQD5N20LTM
ON Semiconductor

FQD5N20LTM

partiture parte: 197937

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 200V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 3.8A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 1.9A, 10V,

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NTMFS4H01NFT1G
ON Semiconductor

NTMFS4H01NFT1G

partiture parte: 20737

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 25V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 54A (Ta), 334A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7 mOhm @ 30A, 10V,

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NVMFS5A140PLZWFT1G
ON Semiconductor

NVMFS5A140PLZWFT1G

partiture parte: 112

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 40V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), 140A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 50A, 10V,

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MCH6431-TL-W
ON Semiconductor

MCH6431-TL-W

partiture parte: 146667

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2.5A, 10V,

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FDD4243-F085
ON Semiconductor

FDD4243-F085

partiture parte: 73

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 40V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 6.7A (Ta), 14A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 6.7A, 10V,

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FDS4465-F085
ON Semiconductor

FDS4465-F085

partiture parte: 119

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 13.5A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 13.5A, 4.5V,

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FQP70N10
ON Semiconductor

FQP70N10

partiture parte: 30568

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 57A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 28.5A, 10V,

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NVD5C478NLT4G
ON Semiconductor

NVD5C478NLT4G

partiture parte: 100

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 40V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 45A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 15A, 10V,

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NTGS3446T1G
ON Semiconductor

NTGS3446T1G

partiture parte: 184967

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.1A, 4.5V,

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