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Transistori - FET, MOSFET - Unicu

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NDS0605
ON Semiconductor

NDS0605

partiture parte: 193296

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 180mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

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NVD5C454NLT4G
ON Semiconductor

NVD5C454NLT4G

partiture parte: 231

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 40V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), 84A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 40A, 10V,

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FDMS86263P
ON Semiconductor

FDMS86263P

partiture parte: 63223

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 150V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 4.4A (Ta), 22A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 4.4A, 10V,

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FDN359BN
ON Semiconductor

FDN359BN

partiture parte: 238

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 2.7A, 10V,

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FDC86244
ON Semiconductor

FDC86244

partiture parte: 145074

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 150V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 2.3A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144 mOhm @ 2.3A, 10V,

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FDP023N08B-F102
ON Semiconductor

FDP023N08B-F102

partiture parte: 208

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 75V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35 mOhm @ 75A, 10V,

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FDMT80080DC
ON Semiconductor

FDMT80080DC

partiture parte: 26898

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 80V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 36A (Ta), 254A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35 mOhm @ 36A, 10V,

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FDMC610P
ON Semiconductor

FDMC610P

partiture parte: 82188

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 12V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 22A, 4.5V,

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FDMC86265P
ON Semiconductor

FDMC86265P

partiture parte: 158516

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 150V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta), 1.8A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 1A, 10V,

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CPH6341-TL-W
ON Semiconductor

CPH6341-TL-W

partiture parte: 155297

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 3A, 10V,

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FDMS8023S
ON Semiconductor

FDMS8023S

partiture parte: 156269

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 26A (Ta), 49A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 26A, 10V,

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FDMS003N08C
ON Semiconductor

FDMS003N08C

partiture parte: 244

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 80V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), 147A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 56A, 10V,

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NDS332P
ON Semiconductor

NDS332P

partiture parte: 165283

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.1A, 4.5V,

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SSN1N45BTA
ON Semiconductor

SSN1N45BTA

partiture parte: 131023

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 450V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 500mA (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25 Ohm @ 250mA, 10V,

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FDN357N
ON Semiconductor

FDN357N

partiture parte: 163365

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 1.9A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 2.2A, 10V,

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FDMC86248
ON Semiconductor

FDMC86248

partiture parte: 74721

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 150V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 3.4A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.4A, 10V,

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FDMC8622
ON Semiconductor

FDMC8622

partiture parte: 118959

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), 16A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4A, 10V,

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FDMS86101DC
ON Semiconductor

FDMS86101DC

partiture parte: 41866

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 14.5A (Ta), 60A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 14.5A, 10V,

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FDC608PZ
ON Semiconductor

FDC608PZ

partiture parte: 128970

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 5.8A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.8A, 4.5V,

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FQPF32N20C
ON Semiconductor

FQPF32N20C

partiture parte: 25352

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 200V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 28A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82 mOhm @ 14A, 10V,

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FDC30N20DZ
ON Semiconductor

FDC30N20DZ

partiture parte: 108918

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 4.6A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 4.6A, 10V,

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FDT86256
ON Semiconductor

FDT86256

partiture parte: 158592

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 150V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 1.2A (Ta), 3A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 845 mOhm @ 1.2A, 10V,

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FDWS9508L-F085
ON Semiconductor

FDWS9508L-F085

partiture parte: 235

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 40V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 80A, 10V,

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NTMFS4H02NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4H02NT3G

partiture parte: 37153

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 25V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 37A (Ta), 193A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 30A, 10V,

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FDWS9509L-F085
ON Semiconductor

FDWS9509L-F085

partiture parte: 215

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 40V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 65A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 65A, 10V,

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FDT86113LZ
ON Semiconductor

FDT86113LZ

partiture parte: 118545

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 3.3A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.3A, 10V,

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NTMS4920NR2G
ON Semiconductor

NTMS4920NR2G

partiture parte: 159124

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 10.6A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 7.5A, 10V,

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FDC2512
ON Semiconductor

FDC2512

partiture parte: 110766

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 150V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 1.4A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 425 mOhm @ 1.4A, 10V,

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FCH76N60N
ON Semiconductor

FCH76N60N

partiture parte: 2938

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 600V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 76A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 38A, 10V,

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FQT5P10TF
ON Semiconductor

FQT5P10TF

partiture parte: 168533

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 1A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 500mA, 10V,

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FDBL9401-F085
ON Semiconductor

FDBL9401-F085

partiture parte: 215

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 40V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 300A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65 mOhm @ 80A, 10V,

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FDMC8360L
ON Semiconductor

FDMC8360L

partiture parte: 79547

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 40V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 27A (Ta), 80A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 27A, 10V,

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FDC3535
ON Semiconductor

FDC3535

partiture parte: 193435

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 80V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 2.1A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 183 mOhm @ 2.1A, 10V,

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FDN8601
ON Semiconductor

FDN8601

partiture parte: 190215

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109 mOhm @ 1.5A, 10V,

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FDC602P
ON Semiconductor

FDC602P

partiture parte: 124840

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.5A, 4.5V,

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FDMC86116LZ
ON Semiconductor

FDMC86116LZ

partiture parte: 185556

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 3.3A (Ta), 7.5A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103 mOhm @ 3.3A, 10V,

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