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Diodi - Raddrizzatori - Unicu

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NSVRB521S30T1G
ON Semiconductor

NSVRB521S30T1G

partiture parte: 155385

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 500mV @ 200mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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NSR0340V2T1G
ON Semiconductor

NSR0340V2T1G

partiture parte: 162532

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 250mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 510mV @ 200mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 5ns,

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NRVBA160T3G
ON Semiconductor

NRVBA160T3G

partiture parte: 112180

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 510mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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FSV540
ON Semiconductor

FSV540

partiture parte: 160727

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 520mV @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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FSV1550V
ON Semiconductor

FSV1550V

partiture parte: 183982

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 510mV @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SBAT54XV2T1G
ON Semiconductor

SBAT54XV2T1G

partiture parte: 165267

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 800mV @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 5ns,

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FS8G
ON Semiconductor

FS8G

partiture parte: 127537

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 8A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 3.37µs,

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MUR805G
ON Semiconductor

MUR805G

partiture parte: 83304

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 975mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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MBRA2H100T3G
ON Semiconductor

MBRA2H100T3G

partiture parte: 175646

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 790mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NTS10120EMFST3G
ON Semiconductor

NTS10120EMFST3G

partiture parte: 177171

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 120V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 820mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NRVTS360ETFSWFTAG
ON Semiconductor

NRVTS360ETFSWFTAG

partiture parte: 266

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 900mV @ 6A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NRVTS12120MFST1G
ON Semiconductor

NRVTS12120MFST1G

partiture parte: 147496

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 120V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 830mV @ 12A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR2045EMFST3G
ON Semiconductor

MBR2045EMFST3G

partiture parte: 132737

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 640mV @ 20A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR5100MFST3G
ON Semiconductor

MBR5100MFST3G

partiture parte: 103152

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 980mV @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NTS10120MFST1G
ON Semiconductor

NTS10120MFST1G

partiture parte: 115740

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 120V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 820mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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RHRP30120
ON Semiconductor

RHRP30120

partiture parte: 31591

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 3.2V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 85ns,

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RURG8060-F085
ON Semiconductor

RURG8060-F085

partiture parte: 579

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 80A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.6V @ 80A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 90ns,

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NRVTS8120EMFST1G
ON Semiconductor

NRVTS8120EMFST1G

partiture parte: 177405

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 120V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 880mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR2045EMFST1G
ON Semiconductor

MBR2045EMFST1G

partiture parte: 117978

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 640mV @ 20A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
MBR30H100MFST1G
ON Semiconductor

MBR30H100MFST1G

partiture parte: 117113

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 900mV @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
MBR10100MFST3G
ON Semiconductor

MBR10100MFST3G

partiture parte: 199531

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
MSR1560G
ON Semiconductor

MSR1560G

partiture parte: 44943

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 45ns,

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NRVB560MFST3G
ON Semiconductor

NRVB560MFST3G

partiture parte: 137725

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 780mV @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
NRVTS1545EMFST3G
ON Semiconductor

NRVTS1545EMFST3G

partiture parte: 168726

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 600mV @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
NTS10100EMFST3G
ON Semiconductor

NTS10100EMFST3G

partiture parte: 159608

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 720mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
NRVB460MFST3G
ON Semiconductor

NRVB460MFST3G

partiture parte: 160496

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 4A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 740mV @ 4A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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RURD420S9A_T
ON Semiconductor

RURD420S9A_T

partiture parte: 2595

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 4A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 4A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

Wishlist
NTS12120EMFST3G
ON Semiconductor

NTS12120EMFST3G

partiture parte: 197578

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 120V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 830mV @ 12A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR8H100MFST1G
ON Semiconductor

MBR8H100MFST1G

partiture parte: 130457

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 900mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
NRVTS10120EMFST1G
ON Semiconductor

NRVTS10120EMFST1G

partiture parte: 198726

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 120V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 820mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
NRVB1240MFST3G
ON Semiconductor

NRVB1240MFST3G

partiture parte: 104946

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 680mV @ 12A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
NTS10120EMFST1G
ON Semiconductor

NTS10120EMFST1G

partiture parte: 134113

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 120V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 820mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
NTS12100EMFST1G
ON Semiconductor

NTS12100EMFST1G

partiture parte: 107392

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 730mV @ 12A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR540MFST1G
ON Semiconductor

MBR540MFST1G

partiture parte: 134413

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 580mV @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NTS10100MFST3G
ON Semiconductor

NTS10100MFST3G

partiture parte: 176173

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 690mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NTS1045MFST1G
ON Semiconductor

NTS1045MFST1G

partiture parte: 162251

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 570mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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