Memoria | Circuiti Integrati (IC) | 3

TC58NYG2S0HBAI4

partiture parte: 1439

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione di memoria: 4Gb (512M x 8), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 25ns,

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Toshiba Memory America, Inc.

TC58CYG1S3HRAIG

partiture parte: 1919

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione di memoria: 2Gb (256M x 8), Frequenza di u Clock: 104MHz,

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Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG2S0HTAI0

partiture parte: 8902

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione di memoria: 4Gb (512M x 8), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 25ns,

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Toshiba Memory America, Inc.

TC58NYG1S3HBAI4

partiture parte: 1435

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione di memoria: 2Gb (256M x 8), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 25ns,

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Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG1S3HBAI4

partiture parte: 1393

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione di memoria: 2Gb (256M x 8), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 25ns,

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Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG2S0HTAI0

partiture parte: 16444

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione di memoria: 4Gb (512M x 8), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 25ns,

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Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG2S0HTA00

partiture parte: 566

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione di memoria: 4Gb (512M x 8), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 25ns,

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TC58BYG2S0HBAI6

partiture parte: 17237

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione di memoria: 4Gb (512M x 8), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 25ns,

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TH58NVG2S3HTA00

partiture parte: 14392

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione di memoria: 4Gb (512M x 8), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 25ns,

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TC58BVG2S0HBAI4

partiture parte: 1415

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione di memoria: 4Gb (512M x 8), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 25ns,

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TC58NVG2S0HBAI6

partiture parte: 17248

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione di memoria: 4Gb (512M x 8), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 25ns,

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TC58CVG2S0HRAIG

partiture parte: 7253

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione di memoria: 4Gb (512M x 8), Frequenza di u Clock: 104MHz,

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TC58BYG1S3HBAI4

partiture parte: 1370

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione di memoria: 2Gb (256M x 8), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 25ns,

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TC58CYG0S3HRAIG

partiture parte: 3118

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione di memoria: 2Gb (256M x 8), Frequenza di u Clock: 104MHz,

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TC58NVG2S0HBAI4

partiture parte: 8884

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione di memoria: 4Gb (512M x 8), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 25ns,

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TH58BVG2S3HTA00

partiture parte: 14305

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione di memoria: 4Gb (512M x 8), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 25ns,

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TC58BVG2S0HTA00

partiture parte: 17220

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione di memoria: 4Gb (512M x 8), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 25ns,

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TH58NVG2S3HTAI0

partiture parte: 7000

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione di memoria: 4Gb (512M x 8), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 25ns,

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TH58BYG2S3HBAI6

partiture parte: 14306

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione di memoria: 4Gb (512M x 8), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 25ns,

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TH58BVG2S3HTAI0

partiture parte: 14321

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione di memoria: 4Gb (512M x 8), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 25ns,

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TC58NYG2S0HBAI6

partiture parte: 17235

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione di memoria: 4Gb (512M x 8), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 25ns,

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TC58NVG1S3HTA00

partiture parte: 1523

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione di memoria: 2Gb (256M x 8), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 25ns,

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TC58BYG0S3HBAI4

partiture parte: 1411

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione di memoria: 1Gb (128M x 8), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 25ns,

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TC58NVG1S3HBAI4

partiture parte: 24524

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione di memoria: 2Gb (256M x 8), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 25ns,

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TC58BVG1S3HTA00

partiture parte: 669

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione di memoria: 2Gb (256M x 8), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 25ns,

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TC58NVG1S3HTAI0

partiture parte: 577

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TC58BYG1S3HBAI6

partiture parte: 25500

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione di memoria: 2Gb (256M x 8), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 25ns,

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TC58NVG1S3HBAI6

partiture parte: 25447

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione di memoria: 2Gb (256M x 8), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 25ns,

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TC58BVG1S3HBAI6

partiture parte: 2239

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione di memoria: 2Gb (256M x 8), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 25ns,

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TC58NYG1S3HBAI6

partiture parte: 25501

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione di memoria: 2Gb (256M x 8), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 25ns,

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TC58BVG1S3HTAI0

partiture parte: 24548

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TC58CVG0S3HRAIG

partiture parte: 1485

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione di memoria: 1Gb (128M x 8), Frequenza di u Clock: 104MHz,

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TC58NVG0S3HTAI0

partiture parte: 2401

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TC58BVG0S3HBAI6

partiture parte: 33228

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TC58BVG0S3HTAI0

partiture parte: 31571

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TC58BYG0S3HBAI6

partiture parte: 33224

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