Memoria | Circuiti Integrati (IC) | 3

TC58NVG0S3HBAI4

partiture parte: 31647

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione di memoria: 1Gb (128M x 8), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 25ns,

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Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG0S3HTA00

partiture parte: 1188

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione di memoria: 1Gb (128M x 8), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 25ns,

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Toshiba Memory America, Inc.

TC58NYG0S3HBAI6

partiture parte: 2187

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione di memoria: 1Gb (128M x 8), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 25ns,

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Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG0S3HBAI4

partiture parte: 31568

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione di memoria: 1Gb (128M x 8), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 25ns,

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Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG0S3HBAI6

partiture parte: 33157

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione di memoria: 1Gb (128M x 8), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 25ns,

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Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG0S3HTA00

partiture parte: 33183

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NAND (SLC), Dimensione di memoria: 1Gb (128M x 8), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 25ns,

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