Transistori - FET, MOSFET - Unicu

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Transistori - FET, MOSFET - Unicu

TPH3202PD

partiture parte: 7016

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 600V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 5.5A, 8V,

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TPH3205WSB

partiture parte: 3254

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 650V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 36A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 22A, 8V,

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TPH3208PD

partiture parte: 986

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 650V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 13A, 8V,

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TPH3207WS

partiture parte: 2351

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 650V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 32A, 8V,

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TPH3206LS

partiture parte: 6040

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 600V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 8V,

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TPH3208LS

partiture parte: 5664

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 650V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 13A, 8V,

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TPH3208PS

partiture parte: 6263

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 650V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 13A, 8V,

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TPH3206PD

partiture parte: 5709

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 600V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 8V,

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TPH3206PS

partiture parte: 6777

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 600V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 8V,

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TP65H035WS

partiture parte: 2828

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 650V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 46.5A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 30A, 10V,

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TPH3208LDG

partiture parte: 5597

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 650V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 13A, 8V,

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TPH3206LDGB

partiture parte: 6072

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 650V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 8V,

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TP65H050WS

partiture parte: 1890

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 650V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 22A, 10V,

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TPH3206LD

partiture parte: 6066

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 600V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 8V,

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TPH3208LSG

partiture parte: 1701

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 650V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 14A, 8V,

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TPH3205WSBQA

partiture parte: 2970

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 650V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 22A, 8V,

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TPH3206PSB

partiture parte: 6741

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 650V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 10A, 8V,

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TP90H180PS

partiture parte: 2997

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 900V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205 mOhm @ 10A, 10V,

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TPH3206LSB

partiture parte: 6120

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 650V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 10A, 8V,

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TPH3212PS

partiture parte: 4430

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 650V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 27A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 17A, 8V,

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TPH3202LD

partiture parte: 6662

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 600V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 5.5A, 8V,

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TPH3202LS

partiture parte: 6623

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 600V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 5.5A, 8V,

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TPH3208LD

partiture parte: 5648

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 650V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 13A, 8V,

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TPH3202PS

partiture parte: 7016

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 600V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 5.5A, 8V,

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TPH3206LDB

partiture parte: 6074

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 650V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 10A, 8V,

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