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Diodi - Raddrizzatori - Unicu

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BYW85TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW85TR

partiture parte: 190298

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 3A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 7.5µs,

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BYW72-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW72-TR

partiture parte: 176837

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 200ns,

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BYM36A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM36A-TAP

partiture parte: 106977

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.6V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 100ns,

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BYV98-200-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV98-200-TR

partiture parte: 166059

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 4A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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BYW73-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW73-TAP

partiture parte: 197416

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 200ns,

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BYM36E-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM36E-TR

partiture parte: 193761

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.78V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 150ns,

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BYV98-50-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV98-50-TAP

partiture parte: 186896

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 4A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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BYT56K-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56K-TR

partiture parte: 193768

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 100ns,

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BY228-13TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY228-13TAP

partiture parte: 151048

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 2µs,

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BYW84-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW84-TAP

partiture parte: 193746

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 3A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 7.5µs,

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BYW172G-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW172G-TR

partiture parte: 180423

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 9A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 100ns,

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BYV28-050-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-050-TAP

partiture parte: 168824

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 30ns,

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BYM36C-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM36C-TAP

partiture parte: 144190

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.6V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 100ns,

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BYV98-150-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV98-150-TR

partiture parte: 180379

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 4A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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BY228-15TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY228-15TR

partiture parte: 184567

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 2µs,

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BYV28-200-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-200-TR

partiture parte: 153910

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 30ns,

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BYW178-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW178-TAP

partiture parte: 174447

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.9V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 60ns,

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BYT56J-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56J-TAP

partiture parte: 197427

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 100ns,

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BYW73-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW73-TR

partiture parte: 197470

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 200ns,

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BYV98-100-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV98-100-TR

partiture parte: 183624

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 4A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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BYT56B-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56B-TR

partiture parte: 145511

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 100ns,

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BYT56G-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56G-TR

partiture parte: 111086

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 100ns,

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BYW84-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW84-TR

partiture parte: 193786

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 3A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 7.5µs,

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BYW75TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW75TR

partiture parte: 190208

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 500V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 200ns,

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BYV98-200-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV98-200-TAP

partiture parte: 174443

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 4A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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BYT56D-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56D-TAP

partiture parte: 181104

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 100ns,

Wishlist
BYW172F-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW172F-TR

partiture parte: 183570

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 9A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 100ns,

Wishlist
BYV28-100-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-100-TR

partiture parte: 163522

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 30ns,

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BYT56B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56B-TAP

partiture parte: 149650

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 100ns,

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BYT78-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT78-TR

partiture parte: 181183

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 250ns,

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BY228GP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY228GP-E3/73

partiture parte: 165820

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1500V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.6V @ 2.5A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 20µs,

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BYW83-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW83-TR

partiture parte: 197398

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 3A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 7.5µs,

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BYV98-150-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV98-150-TAP

partiture parte: 180387

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 4A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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BYW76TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW76TAP

partiture parte: 186903

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 200ns,

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BYW82-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW82-TAP

partiture parte: 193864

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 3A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 7.5µs,

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BYT56A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56A-TAP

partiture parte: 101521

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 100ns,

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