Diodi - Raddrizzatori - Unicu

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Diodi - Raddrizzatori - Unicu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX10GPHE3/54

partiture parte: 1176

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 360mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.6V @ 2A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 2µs,

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BYM07-200HE3/83

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-200HE3/83

partiture parte: 1199

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 500mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD13JGP-E3/54

partiture parte: 1159

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 3µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD13KGP-E3/54

partiture parte: 1195

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 3µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BY255GPHE3/54

partiture parte: 1146

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1300V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 3A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 3µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BY134GPHE3/54

partiture parte: 1225

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 2A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 2µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26EGPHE3/73

partiture parte: 1202

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.5V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26DGPHE3/73

partiture parte: 5173

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.5V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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BYW27-400GPHE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW27-400GPHE3/54

partiture parte: 5134

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 3µs,

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BYW27-200GPHE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW27-200GPHE3/54

partiture parte: 1007

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 3µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26DGPHE3/54

partiture parte: 1035

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.5V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26EGPHE3/54

partiture parte: 5119

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.5V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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BYS459B-1500SE3/81

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS459B-1500SE3/81

partiture parte: 995

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1500V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.35V @ 6.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 220ns,

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BYS459B-1500E3/81

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS459B-1500E3/81

partiture parte: 956

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1500V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 6.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 6.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 350ns,

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BYS11-90HE3/TR3

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS11-90HE3/TR3

partiture parte: 1024

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 90V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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BYS12-90HE3/TR3

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS12-90HE3/TR3

partiture parte: 954

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 90V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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BYS10-45HE3/TR3

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45HE3/TR3

partiture parte: 1013

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 500mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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BYS10-35HE3/TR3

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-35HE3/TR3

partiture parte: 5156

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 35V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 500mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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BYS10-25HE3/TR3

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-25HE3/TR3

partiture parte: 979

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 25V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 500mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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BYM12-400HE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-400HE3/97

partiture parte: 5156

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-50HE3/97

partiture parte: 1042

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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BYM12-200HE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-200HE3/97

partiture parte: 973

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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BYM12-300HE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-300HE3/97

partiture parte: 971

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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BYM12-150HE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-150HE3/97

partiture parte: 1001

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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BYM12-100HE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-100HE3/97

partiture parte: 5130

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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BYM11-800HE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-800HE3/97

partiture parte: 5150

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 500ns,

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BYM11-1000HE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-1000HE3/97

partiture parte: 5194

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 500ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-50HE3/83

partiture parte: 947

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 500mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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BYM07-400HE3/83

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-400HE3/83

partiture parte: 968

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 500mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.35V @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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BYM07-300HE3/83

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-300HE3/83

partiture parte: 1015

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 500mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.35V @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD33MGP-E3/54

partiture parte: 5173

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 300ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD33KGP-E3/54

partiture parte: 1008

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 300ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD33GGP-E3/54

partiture parte: 963

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1A, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 150ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD33JGP-E3/54

partiture parte: 977

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 250ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD33DGP-E3/54

partiture parte: 945

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 150ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD13MGP-E3/54

partiture parte: 952

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 3µs,

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