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Diodi - Raddrizzatori - Unicu

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BYG10D-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10D-E3/TR

partiture parte: 163646

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.15V @ 1.5A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4µs,

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BYS10-25-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-25-E3/TR

partiture parte: 164701

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 25V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 500mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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BYM12-200-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-200-E3/96

partiture parte: 120803

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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BYS10-45HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45HE3_A/I

partiture parte: 32260

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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BAV20WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20WS-HE3-08

partiture parte: 152834

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 250mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 200mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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BAV20W-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20W-HE3-08

partiture parte: 179080

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 250mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 200mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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BAS16D-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16D-HE3-08

partiture parte: 111335

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 75V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 250mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 150mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 6ns,

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BYS10-45-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45-E3/TR3

partiture parte: 106669

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 500mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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BAV302-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV302-TR

partiture parte: 155089

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 250mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 100mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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BAQ333-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ333-TR

partiture parte: 142318

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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BAT54W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54W-E3-08

partiture parte: 170231

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 800mV @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 5ns,

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BAS170WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS170WS-HE3-08

partiture parte: 136941

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 70V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 70mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 15mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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BYS10-35HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-35HE3_A/H

partiture parte: 34922

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 35V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 500mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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BYS10-45HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45HE3_A/H

partiture parte: 34902

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 500mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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BA158-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA158-E3/54

partiture parte: 101393

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 250ns,

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B340LB-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B340LB-E3/52T

partiture parte: 123083

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 450mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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BYG20D-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20D-E3/TR

partiture parte: 116833

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 1.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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BYT62-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT62-TAP

partiture parte: 158520

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 2400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 350mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 3.6V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 5µs,

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BYT54M-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54M-TAP

partiture parte: 193530

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.25A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 100ns,

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BAV21-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21-TR

partiture parte: 170950

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 250mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 100mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

Wishlist
BYT52M-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52M-TAP

partiture parte: 122124

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.4A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 200ns,

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BAW27-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW27-TAP

partiture parte: 153002

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 600mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 400mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 6ns,

Wishlist
BYW36-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW36-TR

partiture parte: 121947

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 200ns,

Wishlist
BYV26D-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26D-TAP

partiture parte: 187035

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.5V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

Wishlist
BY269TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY269TAP

partiture parte: 129989

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.6V @ 3A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 2µs,

Wishlist
BYV26C-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26C-TAP

partiture parte: 171441

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.5V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 30ns,

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BYW32-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW32-TR

partiture parte: 152678

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 200ns,

Wishlist
BYV27-600-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-600-TAP

partiture parte: 122331

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.35V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 250ns,

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BYW55-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW55-TAP

partiture parte: 144972

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4µs,

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BYX86TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX86TAP

partiture parte: 183532

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4µs,

Wishlist
BAW27-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW27-TR

partiture parte: 134544

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 600mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 400mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 6ns,

Wishlist
BYV26B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26B-TAP

partiture parte: 169957

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.5V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 30ns,

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BYV38-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV38-TAP

partiture parte: 177773

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 300ns,

Wishlist
BYV26D-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26D-TR

partiture parte: 121386

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.5V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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BYV27-150-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-150-TAP

partiture parte: 139081

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 165V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.07V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 25ns,

Wishlist
BYV27-200-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-200-TAP

partiture parte: 181381

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.07V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 25ns,

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