Diodi - Raddrizzatori - Unicu

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Diodi - Raddrizzatori - Unicu

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21WS-G3-08

partiture parte: 174085

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 250mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 200mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10Y-M3/TR

partiture parte: 113865

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.15V @ 1.5A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21K-E3/TR

partiture parte: 165220

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.6V @ 1.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 120ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16D-E3-08

partiture parte: 126850

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 75V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 250mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 150mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 6ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54W-G3-08

partiture parte: 125289

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 800mV @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 5ns,

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BYM11-400-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-400-E3/97

partiture parte: 128278

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 150ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21WS-HE3-18

partiture parte: 143333

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 250mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 200mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS281-GS08

partiture parte: 182315

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 30mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 15mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16WS-HE3-18

partiture parte: 192905

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 75V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 250mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 150mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 6ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW36-TAP

partiture parte: 135103

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 200ns,

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BYM10-200-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-200-E3/97

partiture parte: 138454

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM36E-TAP

partiture parte: 193769

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2.9A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.78V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 150ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-600-TR

partiture parte: 134642

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.35V @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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BAS170WS-HE3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS170WS-HE3-18

partiture parte: 133505

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 70V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 70mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 15mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ335-TR

partiture parte: 190878

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 125V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-200-TR

partiture parte: 153878

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.07V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS83-GS08

partiture parte: 115843

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 30mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 15mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BY228-15TAP

partiture parte: 193803

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 2µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21-TAP

partiture parte: 150982

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 250mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 100mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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BYM10-400-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-400-E3/97

partiture parte: 109607

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ133-GS08

partiture parte: 147679

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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BAT54-02V-V-G-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54-02V-V-G-18

partiture parte: 175247

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 800mV @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 5ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV301-TR

partiture parte: 119517

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 250mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 100mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS20-E3-18

partiture parte: 176831

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 200mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

Wishlist

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-100-TAP

partiture parte: 163502

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 30ns,

Wishlist

Vishay Semiconductor Diodes Division

B360A-E3/61T

partiture parte: 170389

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 720mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10YHM3_A/H

partiture parte: 23260

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.15V @ 1.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BA157GP-E3/54

partiture parte: 181076

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 150ns,

Wishlist

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16WS-G3-08

partiture parte: 190132

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 75V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 250mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 150mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 6ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19WS-HE3-08

partiture parte: 102266

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 250mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 200mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

Wishlist

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS21-E3-08

partiture parte: 101367

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 200mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

Wishlist

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21W-HE3-08

partiture parte: 110111

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 250mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 100mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

Wishlist

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT46W-G3-08

partiture parte: 105403

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 150mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 250mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV100-GS08

partiture parte: 115219

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 250mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 100mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT78-TAP

partiture parte: 181219

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 250ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10G-E3/TR

partiture parte: 136486

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.15V @ 1.5A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4µs,

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