Diodi - Raddrizzatori - Unicu

C3D04060F

partiture parte: 37807

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 6A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 4A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

C4D05120E-TR

partiture parte: 20880

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 19A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 5A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

C4D10120E-TR

partiture parte: 10448

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 33A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 10A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

C3D06060G-TR

partiture parte: 40422

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 19A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 6A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

C3D02065E-TR

partiture parte: 114886

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

C3D08060G-TR

partiture parte: 30363

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 24A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 6A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

C3D03065E-TR

partiture parte: 76100

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 11A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

C3D02060E-TR

partiture parte: 122143

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

C3D10060G-TR

partiture parte: 24327

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 29A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

C3D04065E-TR

partiture parte: 57453

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 13.5A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 4A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

C3D03060E-TR

partiture parte: 80343

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 11A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

C4D08120E-TR

partiture parte: 13953

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 24.5A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 8A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

C3D04060E-TR

partiture parte: 60464

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 13.5A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 4A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

E4D20120A

partiture parte: 634

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 54.5A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 20A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

CPW3-1700-S025B-WP

partiture parte: 1137

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1700V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 25A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2V @ 25A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

C2D05120A

partiture parte: 9158

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 17.5A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 5A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

C4D15120H

partiture parte: 501

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 39A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 15A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

CPW3-1700-S010B-WP

partiture parte: 3535

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1700V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2V @ 10A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

C4D08120A

partiture parte: 8738

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 24.5A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 7.5A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

C4D20120H

partiture parte: 3141

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 54A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 20A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

C4D10120H

partiture parte: 3213

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 31.5A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 10A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

C3D25170H

partiture parte: 1223

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1700V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 26.3A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.5V @ 25A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

CVFD20065A

partiture parte: 7144

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 57A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.45V @ 20A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

C4D15120A

partiture parte: 4355

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 43.5A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 15A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

C3D03060A

partiture parte: 50190

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 11A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 3A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

C3D16065A

partiture parte: 9050

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 39A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 16A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

C2D05120E-TR

partiture parte: 14702

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 17.5A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 5A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

C3D04065A

partiture parte: 35635

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 13.5A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 4A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

C3D12065A

partiture parte: 11857

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 35A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 12A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

C3D06065A

partiture parte: 23636

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 19A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 6A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

C3D08065I

partiture parte: 17098

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 16.5A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 8A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

C3D08065A

partiture parte: 17783

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 24A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 8A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

C2D05120E

partiture parte: 9200

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 17.5A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 5A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

C3D10170H

partiture parte: 3661

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1700V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 14.4A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2V @ 10A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

C3D10065A

partiture parte: 14272

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 30A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 10A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

CPW2-1200-S010B-SK

partiture parte: 1446