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Transistori - IGBT - Moduli

APTGV50H60T3G
Microsemi Corporation

APTGV50H60T3G

partiture parte: 530

Tipu IGBT: NPT, Trench Field Stop, Cunfigurazione: Full Bridge Inverter, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 80A, Potenza - Max: 176W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

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APTGV75H60T3G
Microsemi Corporation

APTGV75H60T3G

partiture parte: 491

Tipu IGBT: NPT, Trench Field Stop, Cunfigurazione: Full Bridge Inverter, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 100A, Potenza - Max: 250W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

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APTGV50H60BG
Microsemi Corporation

APTGV50H60BG

partiture parte: 539

Tipu IGBT: NPT, Trench Field Stop, Cunfigurazione: Boost Chopper, Full Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 80A, Potenza - Max: 176W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

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APTGV50H120T3G
Microsemi Corporation

APTGV50H120T3G

partiture parte: 546

Tipu IGBT: NPT, Trench Field Stop, Cunfigurazione: Full Bridge Inverter, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 75A, Potenza - Max: 270W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

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APTGV30H60T3G
Microsemi Corporation

APTGV30H60T3G

partiture parte: 476

Tipu IGBT: NPT, Trench Field Stop, Cunfigurazione: Full Bridge Inverter, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 50A, Potenza - Max: 90W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

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APTGV50H120BTPG
Microsemi Corporation

APTGV50H120BTPG

partiture parte: 466

Tipu IGBT: NPT, Trench Field Stop, Cunfigurazione: Boost Chopper, Full Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 75A, Potenza - Max: 270W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

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APTGV25H120BG
Microsemi Corporation

APTGV25H120BG

partiture parte: 528

Tipu IGBT: NPT, Trench Field Stop, Cunfigurazione: Boost Chopper, Full Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 40A, Potenza - Max: 156W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

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APTGV25H120T3G
Microsemi Corporation

APTGV25H120T3G

partiture parte: 540

Tipu IGBT: NPT, Trench Field Stop, Cunfigurazione: Full Bridge Inverter, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 40A, Potenza - Max: 156W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

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APTGV100H60T3G
Microsemi Corporation

APTGV100H60T3G

partiture parte: 546

Tipu IGBT: NPT, Trench Field Stop, Cunfigurazione: Full Bridge Inverter, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 150A, Potenza - Max: 340W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

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APTGV15H120T3G
Microsemi Corporation

APTGV15H120T3G

partiture parte: 487

Tipu IGBT: NPT, Trench Field Stop, Cunfigurazione: Full Bridge Inverter, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 25A, Potenza - Max: 115W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A,

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APTGT75TA60PG
Microsemi Corporation

APTGT75TA60PG

partiture parte: 546

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Three Phase, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 100A, Potenza - Max: 250W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

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APTGV100H60BTPG
Microsemi Corporation

APTGV100H60BTPG

partiture parte: 5307

Tipu IGBT: NPT, Trench Field Stop, Cunfigurazione: Boost Chopper, Full Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 150A, Potenza - Max: 340W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

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APTGT75SK120T1G
Microsemi Corporation

APTGT75SK120T1G

partiture parte: 531

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 110A, Potenza - Max: 357W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

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APTGT75SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT75SK120D1G

partiture parte: 541

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 110A, Potenza - Max: 357W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

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APTGT75DH60TG
Microsemi Corporation

APTGT75DH60TG

partiture parte: 521

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Asymmetrical Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 100A, Potenza - Max: 250W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

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APTGT75DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT75DSK60T3G

partiture parte: 490

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Dual Buck Chopper, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 100A, Potenza - Max: 250W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

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APTGT75DH120TG
Microsemi Corporation

APTGT75DH120TG

partiture parte: 478

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Asymmetrical Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 110A, Potenza - Max: 357W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

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APTGT75DA170T1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA170T1G

partiture parte: 540

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1700V, Current - Collector (Ic) (Max): 130A, Potenza - Max: 465W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

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APTGT75DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA170D1G

partiture parte: 464

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1700V, Current - Collector (Ic) (Max): 120A, Potenza - Max: 520W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

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APTGT75DA120T1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA120T1G

partiture parte: 555

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 110A, Potenza - Max: 357W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

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APTGT75A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT75A170D1G

partiture parte: 545

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Half Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1700V, Current - Collector (Ic) (Max): 120A, Potenza - Max: 520W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

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APTGT75DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA120D1G

partiture parte: 548

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 110A, Potenza - Max: 357W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

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APTGT75A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT75A120D1G

partiture parte: 526

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Half Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 110A, Potenza - Max: 357W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

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APTGT580U60D4G
Microsemi Corporation

APTGT580U60D4G

partiture parte: 526

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 760A, Potenza - Max: 1600W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 600A,

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APTGT50TA170PG
Microsemi Corporation

APTGT50TA170PG

partiture parte: 482

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Three Phase, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1700V, Current - Collector (Ic) (Max): 70A, Potenza - Max: 310W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

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APTGT50SK170D1G
Microsemi Corporation

APTGT50SK170D1G

partiture parte: 514

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1700V, Current - Collector (Ic) (Max): 70A, Potenza - Max: 310W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

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APTGT50DU170TG
Microsemi Corporation

APTGT50DU170TG

partiture parte: 476

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Dual, Common Source, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1700V, Current - Collector (Ic) (Max): 75A, Potenza - Max: 312W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

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APTGT50DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT50DSK60T3G

partiture parte: 541

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Dual Buck Chopper, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 80A, Potenza - Max: 176W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

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APTGT50DSK120T3G
Microsemi Corporation

APTGT50DSK120T3G

partiture parte: 552

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Dual Buck Chopper, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 75A, Potenza - Max: 270W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

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APTGT50DH60TG
Microsemi Corporation

APTGT50DH60TG

partiture parte: 528

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Asymmetrical Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 80A, Potenza - Max: 176W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

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APTGT50DA170T1G
Microsemi Corporation

APTGT50DA170T1G

partiture parte: 3071

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1700V, Current - Collector (Ic) (Max): 75A, Potenza - Max: 312W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

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APTGT50DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT50DA170D1G

partiture parte: 518

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1700V, Current - Collector (Ic) (Max): 70A, Potenza - Max: 310W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

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APTGT50DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT50DA120D1G

partiture parte: 496

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 75A, Potenza - Max: 270W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

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APTGT50A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT50A170D1G

partiture parte: 535

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Half Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1700V, Current - Collector (Ic) (Max): 70A, Potenza - Max: 310W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

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APTGT50A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT50A60T1G

partiture parte: 520

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Half Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 80A, Potenza - Max: 176W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

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APTGT50A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT50A120D1G

partiture parte: 494

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Half Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 75A, Potenza - Max: 270W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

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