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Transistori - IGBT - Moduli

APTGT150SK60TG
Microsemi Corporation

APTGT150SK60TG

partiture parte: 527

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 225A, Potenza - Max: 480W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

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APTGT150SK120TG
Microsemi Corporation

APTGT150SK120TG

partiture parte: 460

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 220A, Potenza - Max: 690W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

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APTGT150SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT150SK120D1G

partiture parte: 445

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 220A, Potenza - Max: 700W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

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APTGT150DU60TG
Microsemi Corporation

APTGT150DU60TG

partiture parte: 491

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Dual, Common Source, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 225A, Potenza - Max: 480W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

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APTGT150DU170G
Microsemi Corporation

APTGT150DU170G

partiture parte: 520

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Dual, Common Source, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1700V, Current - Collector (Ic) (Max): 250A, Potenza - Max: 890W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

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APTGT150DA60TG
Microsemi Corporation

APTGT150DA60TG

partiture parte: 521

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 225A, Potenza - Max: 480W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

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APTGT150DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT150DA170D1G

partiture parte: 476

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1700V, Current - Collector (Ic) (Max): 280A, Potenza - Max: 780W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

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APTGT150DA170G
Microsemi Corporation

APTGT150DA170G

partiture parte: 517

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1700V, Current - Collector (Ic) (Max): 250A, Potenza - Max: 890W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

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APTGT150DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT150DA120D1G

partiture parte: 471

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 220A, Potenza - Max: 700W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

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APTGT150DA120TG
Microsemi Corporation

APTGT150DA120TG

partiture parte: 482

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 220A, Potenza - Max: 690W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

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APTGT150A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT150A120D1G

partiture parte: 531

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Half Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 220A, Potenza - Max: 700W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

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APTGT150A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT150A170D1G

partiture parte: 504

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Half Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1700V, Current - Collector (Ic) (Max): 280A, Potenza - Max: 780W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

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APTGT100TA60PG
Microsemi Corporation

APTGT100TA60PG

partiture parte: 499

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Three Phase, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 150A, Potenza - Max: 340W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

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APTGT100SK60TG
Microsemi Corporation

APTGT100SK60TG

partiture parte: 503

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 150A, Potenza - Max: 340W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

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APTGT100SK170D1G
Microsemi Corporation

APTGT100SK170D1G

partiture parte: 535

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1700V, Current - Collector (Ic) (Max): 200A, Potenza - Max: 695W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

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APTGT100SK60T1G
Microsemi Corporation

APTGT100SK60T1G

partiture parte: 475

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 150A, Potenza - Max: 340W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

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APTGT100SK120TG
Microsemi Corporation

APTGT100SK120TG

partiture parte: 499

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 140A, Potenza - Max: 480W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

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APTGT100SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT100SK120D1G

partiture parte: 504

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 150A, Potenza - Max: 520W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

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APTGT100DH170G
Microsemi Corporation

APTGT100DH170G

partiture parte: 519

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Asymmetrical Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1700V, Current - Collector (Ic) (Max): 150A, Potenza - Max: 560W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

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APTGT100DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT100DSK60T3G

partiture parte: 465

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Dual Buck Chopper, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 150A, Potenza - Max: 340W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

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APTGT100DDA60T3G
Microsemi Corporation

APTGT100DDA60T3G

partiture parte: 447

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Dual Boost Chopper, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 150A, Potenza - Max: 340W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

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APTGT100DA60TG
Microsemi Corporation

APTGT100DA60TG

partiture parte: 495

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 150A, Potenza - Max: 340W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

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APTGT100DA170TG
Microsemi Corporation

APTGT100DA170TG

partiture parte: 472

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1700V, Current - Collector (Ic) (Max): 150A, Potenza - Max: 560W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

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APTGT100DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT100DA170D1G

partiture parte: 489

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1700V, Current - Collector (Ic) (Max): 200A, Potenza - Max: 695W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

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APTGT100DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT100DA120D1G

partiture parte: 508

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 150A, Potenza - Max: 520W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

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APTGT100DA120TG
Microsemi Corporation

APTGT100DA120TG

partiture parte: 456

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 140A, Potenza - Max: 480W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

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APTGT100A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT100A170D1G

partiture parte: 453

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Half Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1700V, Current - Collector (Ic) (Max): 200A, Potenza - Max: 695W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

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APTGT100A60TG
Microsemi Corporation

APTGT100A60TG

partiture parte: 489

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Half Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 150A, Potenza - Max: 340W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

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APTGT100A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT100A120D1G

partiture parte: 3061

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Half Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 150A, Potenza - Max: 520W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

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APTGL325SK120D3G
Microsemi Corporation

APTGL325SK120D3G

partiture parte: 506

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 420A, Potenza - Max: 1500W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 300A,

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APTGF90TDU60PG
Microsemi Corporation

APTGF90TDU60PG

partiture parte: 489

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Triple, Dual - Common Source, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 110A, Potenza - Max: 416W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

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APTGL325DA120D3G
Microsemi Corporation

APTGL325DA120D3G

partiture parte: 464

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 420A, Potenza - Max: 1500W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 300A,

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APTGF90SK60TG
Microsemi Corporation

APTGF90SK60TG

partiture parte: 437

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 110A, Potenza - Max: 416W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

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APTGF90TA60PG
Microsemi Corporation

APTGF90TA60PG

partiture parte: 476

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Three Phase, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 110A, Potenza - Max: 416W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

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APTGF90SK60T1G
Microsemi Corporation

APTGF90SK60T1G

partiture parte: 509

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 110A, Potenza - Max: 416W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

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APTGF90SK60D1G
Microsemi Corporation

APTGF90SK60D1G

partiture parte: 494

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 130A, Potenza - Max: 445W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 100A,

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