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Transistori - IGBT - Moduli

APTGT50A120TG
Microsemi Corporation

APTGT50A120TG

partiture parte: 483

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Half Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 75A, Potenza - Max: 277W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

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APTGT450DU60G
Microsemi Corporation

APTGT450DU60G

partiture parte: 517

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Dual, Common Source, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 550A, Potenza - Max: 1750W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 450A,

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APTGT400SK60D3G
Microsemi Corporation

APTGT400SK60D3G

partiture parte: 472

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 500A, Potenza - Max: 1250W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 400A,

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APTGT400DA120D3G
Microsemi Corporation

APTGT400DA120D3G

partiture parte: 507

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 580A, Potenza - Max: 2100W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

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APTGT400SK120D3G
Microsemi Corporation

APTGT400SK120D3G

partiture parte: 463

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 580A, Potenza - Max: 2100W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

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APTGT35SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT35SK120D1G

partiture parte: 527

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 55A, Potenza - Max: 205W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

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APTGT35H120T1G
Microsemi Corporation

APTGT35H120T1G

partiture parte: 522

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Full Bridge Inverter, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 55A, Potenza - Max: 208W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

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APTGT35A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT35A120D1G

partiture parte: 463

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Half Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 55A, Potenza - Max: 205W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

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APTGT35DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT35DA120D1G

partiture parte: 481

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 55A, Potenza - Max: 205W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

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APTGT30SK170D1G
Microsemi Corporation

APTGT30SK170D1G

partiture parte: 507

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1700V, Current - Collector (Ic) (Max): 45A, Potenza - Max: 210W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

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APTGT30SK170T1G
Microsemi Corporation

APTGT30SK170T1G

partiture parte: 539

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1700V, Current - Collector (Ic) (Max): 45A, Potenza - Max: 210W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

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APTGT30H60T3G
Microsemi Corporation

APTGT30H60T3G

partiture parte: 462

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Full Bridge Inverter, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 50A, Potenza - Max: 90W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

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APTGT30DDA60T3G
Microsemi Corporation

APTGT30DDA60T3G

partiture parte: 494

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Dual Boost Chopper, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 50A, Potenza - Max: 90W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

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APTGT30DA170T1G
Microsemi Corporation

APTGT30DA170T1G

partiture parte: 474

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1700V, Current - Collector (Ic) (Max): 45A, Potenza - Max: 210W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

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APTGT30A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT30A60T1G

partiture parte: 506

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Half Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 50A, Potenza - Max: 90W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

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APTGT30DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT30DA170D1G

partiture parte: 525

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1700V, Current - Collector (Ic) (Max): 45A, Potenza - Max: 210W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

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APTGT300SK170D3G
Microsemi Corporation

APTGT300SK170D3G

partiture parte: 547

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1700V, Current - Collector (Ic) (Max): 530A, Potenza - Max: 1470W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

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APTGT30A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT30A170D1G

partiture parte: 458

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Half Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1700V, Current - Collector (Ic) (Max): 45A, Potenza - Max: 210W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

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APTGT300DA120D3G
Microsemi Corporation

APTGT300DA120D3G

partiture parte: 482

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 440A, Potenza - Max: 1250W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

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APTGT300SK120D3G
Microsemi Corporation

APTGT300SK120D3G

partiture parte: 515

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 440A, Potenza - Max: 1250W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

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APTGT25H120T1G
Microsemi Corporation

APTGT25H120T1G

partiture parte: 449

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Full Bridge Inverter, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 40A, Potenza - Max: 156W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

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APTGT25SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT25SK120D1G

partiture parte: 3101

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 40A, Potenza - Max: 140W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

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APTGT25DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT25DA120D1G

partiture parte: 503

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 40A, Potenza - Max: 140W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

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APTGT25A120T1G
Microsemi Corporation

APTGT25A120T1G

partiture parte: 542

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Half Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 40A, Potenza - Max: 156W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

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APTGT20X60T3G
Microsemi Corporation

APTGT20X60T3G

partiture parte: 455

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Three Phase Inverter, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 32A, Potenza - Max: 62W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

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APTGT25A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT25A120D1G

partiture parte: 495

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Half Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 40A, Potenza - Max: 140W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

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APTGT20DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT20DSK60T3G

partiture parte: 520

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Dual Buck Chopper, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 32A, Potenza - Max: 62W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

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APTGT20H60T3G
Microsemi Corporation

APTGT20H60T3G

partiture parte: 543

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Full Bridge Inverter, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 32A, Potenza - Max: 62W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

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APTGT20A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT20A60T1G

partiture parte: 446

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Half Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 32A, Potenza - Max: 62W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

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APTGT200SK170D3G
Microsemi Corporation

APTGT200SK170D3G

partiture parte: 509

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1700V, Current - Collector (Ic) (Max): 400A, Potenza - Max: 1250W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A,

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APTGT200SK60TG
Microsemi Corporation

APTGT200SK60TG

partiture parte: 478

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 290A, Potenza - Max: 625W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

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APTGT200SK120D3G
Microsemi Corporation

APTGT200SK120D3G

partiture parte: 528

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 300A, Potenza - Max: 1050W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

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APTGT200DA60TG
Microsemi Corporation

APTGT200DA60TG

partiture parte: 520

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 290A, Potenza - Max: 625W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

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APTGT200DA170D3G
Microsemi Corporation

APTGT200DA170D3G

partiture parte: 465

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1700V, Current - Collector (Ic) (Max): 400A, Potenza - Max: 1250W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A,

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APTGT200A60TG
Microsemi Corporation

APTGT200A60TG

partiture parte: 491

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Half Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 290A, Potenza - Max: 625W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

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APTGT150SK170D1G
Microsemi Corporation

APTGT150SK170D1G

partiture parte: 479

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1700V, Current - Collector (Ic) (Max): 280A, Potenza - Max: 780W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

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