Transistori - IGBT - Moduli | Prudutti Discreti à Semiconduttore | 65

APTGF165SK60D1G

partiture parte: 463

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 230A, Potenza - Max: 730W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

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Microsemi Corporation

APTGF180A60TG

partiture parte: 496

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Half Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 220A, Potenza - Max: 833W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A,

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Microsemi Corporation

APTGF165A60D1G

partiture parte: 456

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Half Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 230A, Potenza - Max: 781W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A,

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Microsemi Corporation

APTGF165DA60D1G

partiture parte: 448

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 230A, Potenza - Max: 730W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

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Microsemi Corporation

APTGF15H120T3G

partiture parte: 440

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Full Bridge Inverter, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 25A, Potenza - Max: 140W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

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Microsemi Corporation

APTGF15A120T1G

partiture parte: 442

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Half Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 25A, Potenza - Max: 140W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

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Microsemi Corporation

APTGF15H120T1G

partiture parte: 487

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Full Bridge Inverter, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 25A, Potenza - Max: 140W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

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Microsemi Corporation

APTGF150SK120TG

partiture parte: 414

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 200A, Potenza - Max: 961W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

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Microsemi Corporation

APTGF150DH120G

partiture parte: 410

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Asymmetrical Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 200A, Potenza - Max: 961W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

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Microsemi Corporation

APTGF150DA120TG

partiture parte: 435

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 200A, Potenza - Max: 961W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

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Microsemi Corporation

APTGF100SK120TG

partiture parte: 453

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 135A, Potenza - Max: 568W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APTGF150A120TG

partiture parte: 3069

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Half Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 200A, Potenza - Max: 961W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

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Microsemi Corporation

APTGF100DU120TG

partiture parte: 453

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Dual, Common Source, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 135A, Potenza - Max: 568W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APTGF100DA120T1G

partiture parte: 411

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 130A, Potenza - Max: 735W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APTGF100A120TG

partiture parte: 435

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Half Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 135A, Potenza - Max: 568W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APT60GF60JU3

partiture parte: 455

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 93A, Potenza - Max: 378W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

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Microsemi Corporation

APT60GF60JU2

partiture parte: 418

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 93A, Potenza - Max: 378W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

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Microsemi Corporation

APT50GT120JU3

partiture parte: 3465

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 75A, Potenza - Max: 347W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APT50GT120JU2

partiture parte: 3433

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 75A, Potenza - Max: 347W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APT50GF60JU3

partiture parte: 448

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 75A, Potenza - Max: 277W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APT30GF60JU3

partiture parte: 465

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 58A, Potenza - Max: 192W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A,

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Microsemi Corporation

APT30GF60JU2

partiture parte: 416

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 58A, Potenza - Max: 192W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A,

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Microsemi Corporation

APT100GF60JU3

partiture parte: 481

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 120A, Potenza - Max: 416W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APT75GN120J

partiture parte: 420

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 124A, Potenza - Max: 379W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APT75GN120JDQ3G

partiture parte: 401

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 124A, Potenza - Max: 379W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APT60GT60JR

partiture parte: 445

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 93A, Potenza - Max: 378W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

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Microsemi Corporation

APT50GP60J

partiture parte: 2419

Tipu IGBT: PT, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 100A, Potenza - Max: 329W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APT50GT120JRDQ2

partiture parte: 393

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 72A, Potenza - Max: 379W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APT40GP60JDQ2

partiture parte: 2536

Tipu IGBT: PT, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 86A, Potenza - Max: 284W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A,

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Microsemi Corporation

APT40GF120JRDQ2

partiture parte: 469

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 77A, Potenza - Max: 347W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 40A,

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Microsemi Corporation

APT200GN60JG

partiture parte: 406

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 283A, Potenza - Max: 682W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A,

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Microsemi Corporation

APT75GP120JDQ3

partiture parte: 1653

Tipu IGBT: PT, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 128A, Potenza - Max: 543W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGV50H60BT3G

partiture parte: 1360

Tipu IGBT: NPT, Trench Field Stop, Cunfigurazione: Boost Chopper, Full Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 65A, Potenza - Max: 250W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

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STMicroelectronics

A2P75S12M3-F

partiture parte: 373

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Three Phase Inverter, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 75A, Potenza - Max: 454.5W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A,

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STMicroelectronics

A2P75S12M3

partiture parte: 372

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Three Phase Inverter, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 75A, Potenza - Max: 454.5W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A,

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STMicroelectronics

A2C50S65M2

partiture parte: 320

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Three Phase Inverter with Brake, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 650V, Current - Collector (Ic) (Max): 50A, Potenza - Max: 208W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

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