Diodi - Raddrizzatori - Unicu | Prudutti Discreti à Semiconduttore | 2

GP2D003A060C

partiture parte: 124592

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.65V @ 3A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D008A120A

partiture parte: 12482

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 24A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 8A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D005A065A

partiture parte: 43140

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 15A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.65V @ 5A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GP2D012A065A

partiture parte: 12864

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.65V @ 12A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D006A060A

partiture parte: 18126

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 6A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.65V @ 6A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D020A060B

partiture parte: 10017

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 58A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.65V @ 20A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D005A060A

partiture parte: 32164

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 15A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.65V @ 5A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D012A060D

partiture parte: 9856

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.65V @ 12A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D006A060C

partiture parte: 22992

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 6A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.65V @ 6A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D008A120C

partiture parte: 12548

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 24A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 8A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D015A120A

partiture parte: 6601

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 50A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 15A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GP2D012A060A

partiture parte: 9802

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.65V @ 12A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D003A060A

partiture parte: 32449

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.65V @ 3A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D012A065C

partiture parte: 88

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 29A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.9V @ 12A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GSXD300A170S2D5

partiture parte: 1548

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1700V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 300A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.9V @ 300A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 540ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D010A060A

partiture parte: 17959

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 30A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.65V @ 10A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D020A120A

partiture parte: 2898

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 20A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 20A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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GP2D003A065C

partiture parte: 46386

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.65V @ 3A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D005A065C

partiture parte: 63819

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 15A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.65V @ 5A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GP2D036A060B

partiture parte: 7919

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 82A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.9V @ 36A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GP2D010A065C

partiture parte: 32469

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 30A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.65V @ 10A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GP2D003A065A

partiture parte: 46379

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.65V @ 3A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D030A060B

partiture parte: 5912

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 30A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.65V @ 30A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GDP60Z120E

partiture parte: 2254

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 60A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 60A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GDP08S120A

partiture parte: 2165

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 8A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D010A120A

partiture parte: 7354

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 10A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GDP15S120B

partiture parte: 5232

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 15A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 15A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D005A120A

partiture parte: 20996

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 5A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D010A170B

partiture parte: 3924

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1700V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.75V @ 10A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GDP06S060A

partiture parte: 2241

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 6A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 6A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D005A170B

partiture parte: 6213

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1700V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.75V @ 5A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D005A120C

partiture parte: 20934

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 5A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D050A120B

partiture parte: 2553

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 50A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 50A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GDP12S060A

partiture parte: 5283

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 12A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GDP03S060C

partiture parte: 2176

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 3A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GDP30S120B

partiture parte: 2237

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 30A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 30A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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