Transistori - FET, MOSFET - Unicu | Prudutti Discreti à Semiconduttore | 6

2N6661

partiture parte: 6316

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 90V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 350mA (Tj), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

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Microchip Technology

2N7008-G

partiture parte: 138197

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 230mA (Tj), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

2N6660

partiture parte: 6315

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 410mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

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Microchip Technology

2N7002-G

partiture parte: 134471

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 115mA (Tj), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

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2N7000-G

partiture parte: 187823

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 200mA (Tj), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

VP0550N3-G-P013

partiture parte: 53675

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 500V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 54mA (Tj), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 Ohm @ 10mA, 10V,

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TN2540N3-G-P002

partiture parte: 74193

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 400V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 175mA (Tj), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

MCP87030T-U/MF

partiture parte: 103880

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 25V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 20A, 10V,

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MCP87050T-U/MF

partiture parte: 146526

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 25V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

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Microchip Technology

VN0300L-G-P002

partiture parte: 81152

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 640mA (Tj), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 1A, 10V,

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Microchip Technology

VN1206L-G-P002

partiture parte: 58212

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 120V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 230mA (Tj), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

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TN0620N3-G-P002

partiture parte: 71231

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 200V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 250mA (Tj), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

TN2130K1-G

partiture parte: 145339

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 300V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 85mA (Tj), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 4.5V,

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VN0104N3-G-P013

partiture parte: 139578

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 40V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 350mA (Tj), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

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Microchip Technology

TN2640LG-G

partiture parte: 51374

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 400V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 260mA (Tj), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

VP2206N3-G-P003

partiture parte: 46577

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 640mA (Tj), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 3.5A, 10V,

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TP2502N8-G

partiture parte: 77492

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 630mA (Tj), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1A, 10V,

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Microchip Technology

TP2435N8-G

partiture parte: 67130

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 350V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 231mA (Tj), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 500mA, 10V,

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MCP87022T-U/MF

partiture parte: 69227

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 25V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 25A, 10V,

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TN0610N3-G-P013

partiture parte: 89494

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 500mA (Tj), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 750mA, 10V,

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LND150N3-G-P013

partiture parte: 183588

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 500V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 30mA (Tj), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

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DN1509N8-G

partiture parte: 131170

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 90V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 360mA (Tj), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 200mA, 0V,

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TN0106N3-G-P003

partiture parte: 112566

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 350mA (Tj), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

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TN0604N3-G-P013

partiture parte: 87261

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 40V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 700mA (Tj), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 1.5A, 10V,

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MCP87090T-U/LC

partiture parte: 199305

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 25V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 48A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 10V,

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DN2535N3-G-P013

partiture parte: 124551

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 350V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 120mA (Tj), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 0V,

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LND150N3-G-P014

partiture parte: 183620

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 500V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 30mA (Tj), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

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Microchip Technology

TN0610N3-G-P003

partiture parte: 89433

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 500mA (Tj), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 750mA, 10V,

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Microchip Technology

TP2424N8-G

partiture parte: 69759

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 240V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 316mA (Tj), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

MCP87090T-U/MF

partiture parte: 183616

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 25V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 64A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 10V,

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TN0104N3-G-P014

partiture parte: 96882

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 40V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 450mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 1A, 10V,

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Microchip Technology

TP2520N8-G

partiture parte: 72715

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 200V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 260mA (Tj), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 200mA, 10V,

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Microchip Technology

VN10KN3-G-P014

partiture parte: 174398

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 310mA (Tj), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

VN2460N3-G-P003

partiture parte: 77538

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 600V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 160mA (Tj), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 100mA, 10V,

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Microchip Technology

TN2425N8-G

partiture parte: 77566

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 25V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 480mA (Tj), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

MIC94051YM4-TR

partiture parte: 191644

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 6V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 1.8A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 100mA, 4.5V,

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