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Diodi - Raddrizzatori - Unicu

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1N5814
Microsemi Corporation

1N5814

partiture parte: 1582

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 20A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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1N3893AR
Microsemi Corporation

1N3893AR

partiture parte: 1470

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1N3891A
Microsemi Corporation

1N3891A

partiture parte: 1514

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1N3892A
Microsemi Corporation

1N3892A

partiture parte: 1493

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1N3890A
Microsemi Corporation

1N3890A

partiture parte: 5551

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1N3890AR
Microsemi Corporation

1N3890AR

partiture parte: 1268

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1N3893A
Microsemi Corporation

1N3893A

partiture parte: 1336

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1N3892AR
Microsemi Corporation

1N3892AR

partiture parte: 1272

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1N3891AR
Microsemi Corporation

1N3891AR

partiture parte: 1269

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1N5182
Microsemi Corporation

1N5182

partiture parte: 1326

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 5000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 100mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 10V @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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1N5415US
Microsemi Corporation

1N5415US

partiture parte: 1279

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 9A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 150ns,

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1N5811US
Microsemi Corporation

1N5811US

partiture parte: 6570

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 875mV @ 4A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 30ns,

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1N3779
Microsemi Corporation

1N3779

partiture parte: 1329

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1N6078US
Microsemi Corporation

1N6078US

partiture parte: 2355

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 6A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.76V @ 18.8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 30ns,

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1N6079US
Microsemi Corporation

1N6079US

partiture parte: 2309

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 37.7A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 30ns,

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1N1127AR
Microsemi Corporation

1N1127AR

partiture parte: 1313

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1N1126AR
Microsemi Corporation

1N1126AR

partiture parte: 5162

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1N1128AR
Microsemi Corporation

1N1128AR

partiture parte: 1276

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1N1125AR
Microsemi Corporation

1N1125AR

partiture parte: 1263

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1N1616A
Microsemi Corporation

1N1616A

partiture parte: 1221

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1N1614A
Microsemi Corporation

1N1614A

partiture parte: 1284

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1N1615A
Microsemi Corporation

1N1615A

partiture parte: 5156

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1N1203BR
Microsemi Corporation

1N1203BR

partiture parte: 1165

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1N1205BR
Microsemi Corporation

1N1205BR

partiture parte: 1187

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1N3671
Microsemi Corporation

1N3671

partiture parte: 1212

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1N3672
Microsemi Corporation

1N3672

partiture parte: 1154

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1N1201BR
Microsemi Corporation

1N1201BR

partiture parte: 1130

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1N1204B
Microsemi Corporation

1N1204B

partiture parte: 1194

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1N1201R
Microsemi Corporation

1N1201R

partiture parte: 1128

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1N1206BR
Microsemi Corporation

1N1206BR

partiture parte: 1167

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1N1200B
Microsemi Corporation

1N1200B

partiture parte: 1224

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1N1204C
Microsemi Corporation

1N1204C

partiture parte: 1151

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1N1205
Microsemi Corporation

1N1205

partiture parte: 1158

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1N1200R
Microsemi Corporation

1N1200R

partiture parte: 1188

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1N1205B
Microsemi Corporation

1N1205B

partiture parte: 1200

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1N1204BR
Microsemi Corporation

1N1204BR

partiture parte: 1150

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