Diodi - Raddrizzatori - Matrici | Prudutti Discreti à Semiconduttore | 13

1N6660

partiture parte: 559

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

1N7037CCU1

partiture parte: 4746

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 35A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.22V @ 35A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

1N6659

partiture parte: 4137

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 20A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

5962-1621001VXC

partiture parte: 4957

Configurazione Diode: 8 Pair Series Connection, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 140V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 1A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.08V @ 700mA, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

5962-1621001QXC

partiture parte: 4919

Configurazione Diode: 8 Pair Series Connection, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 140V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 1A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.08V @ 700mA, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

689-3P

partiture parte: 4108

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT30D30BCTG

partiture parte: 10437

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APTDF400KK170G

partiture parte: 532

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1700V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 480A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.5V @ 400A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X30D100J

partiture parte: 3175

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 28A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.3V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X31D20J

partiture parte: 3498

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X30DQ60J

partiture parte: 3829

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.2V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X61DQ100J

partiture parte: 3118

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.8V @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X101D30J

partiture parte: 2748

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X21DC60J

partiture parte: 1164

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 20A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X60D60J

partiture parte: 3356

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X100DQ60J

partiture parte: 3407

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.2V @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X31D120J

partiture parte: 2782

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.5V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X50DC60J

partiture parte: 739

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 50A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 50A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Microsemi Corporation

APTDF400KK20G

partiture parte: 842

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 500A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 400A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X101D100J

partiture parte: 2286

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 95A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.5V @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT30DQ120BCTG

partiture parte: 179

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 3.3V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X31D100J

partiture parte: 3191

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 28A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.3V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X61D120J

partiture parte: 2464

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 53A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.5V @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X60D120J

partiture parte: 2442

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 53A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.5V @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X61D20J

partiture parte: 3266

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X60DQ120J

partiture parte: 3220

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 3.1V @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X101D120J

partiture parte: 1994

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 93A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.5V @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X151DL60J

partiture parte: 2375

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 150A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.6V @ 150A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X100D100J

partiture parte: 2278

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 95A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.5V @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT30D20BCTG

partiture parte: 14745

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X61DQ60J

partiture parte: 3789

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.3V @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT15D60BCTG

partiture parte: 21444

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X30D60J

partiture parte: 4152

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X100DQ100J

partiture parte: 3296

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.7V @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT15D100BCTG

partiture parte: 17440

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.3V @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT30D40BCTG

partiture parte: 10774

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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