Diodi - Raddrizzatori - Matrici

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Diodi - Raddrizzatori - Matrici

Microsemi Corporation

APT2X31DQ60J

partiture parte: 3554

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.2V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT30D100BCTG

partiture parte: 9938

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.3V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT100S20LCTG

partiture parte: 5486

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 120A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X61S20J

partiture parte: 3006

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 75A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 900mV @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT60D60LCTG

partiture parte: 6600

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X30D120J

partiture parte: 2852

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.5V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X101DQ60J

partiture parte: 2889

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.2V @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X101DQ120J

partiture parte: 2486

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 3V @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X61D60J

partiture parte: 3296

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT30DQ60BCTG

partiture parte: 16694

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.4V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT30D100BHBG

partiture parte: 9481

Configurazione Diode: 1 Pair Series Connection, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 18A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.3V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT40DQ60BCTG

partiture parte: 14431

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 40A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.4V @ 40A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X101D20J

partiture parte: 2724

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT15DQ100BCTG

partiture parte: 17077

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 3V @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X61DC120J

partiture parte: 553

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 60A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT30D20BCAG

partiture parte: 9782

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X101D60J

partiture parte: 2721

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT30D60BCTG

partiture parte: 10815

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X101D40J

partiture parte: 2756

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT30DQ60BHBG

partiture parte: 10044

Configurazione Diode: 1 Pair Series Connection, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.4V @ 30A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X31S20J

partiture parte: 3575

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 45A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 850mV @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT30D60BCAG

partiture parte: 9826

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 27A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X61D100J

partiture parte: 2817

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 55A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.5V @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X61DC60J

partiture parte: 1099

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 60A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X60DC60J

partiture parte: 1122

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 60A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT30D60BHBG

partiture parte: 9889

Configurazione Diode: 1 Pair Series Connection, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 27A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X51DC60J

partiture parte: 1272

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 50A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 50A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X41DC60J

partiture parte: 1054

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 40A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 40A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X31DC60J

partiture parte: 1723

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 30A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X30DC60J

partiture parte: 1813

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 30A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X101S20J

partiture parte: 2725

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 120A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT15DQ60BCTG

partiture parte: 20940

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.4V @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X20DC60J

partiture parte: 1426

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 20A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT60DQ60BCTG

partiture parte: 11515

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.4V @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X21DC120J

partiture parte: 1510

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 20A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X60D30J

partiture parte: 4471

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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