Diodi - Raddrizzatori - Matrici | Prudutti Discreti à Semiconduttore | 13

APT30D100BCAG

partiture parte: 4419

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 18A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.3V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT10SCD65KCT

partiture parte: 7652

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 17A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 10A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X60DC120J

partiture parte: 647

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 60A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X40DC120J

partiture parte: 910

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 40A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 40A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X40DC60J

partiture parte: 4083

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 40A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 40A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X31DC120J

partiture parte: 4104

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 30A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X30DC120J

partiture parte: 4162

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 30A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X20DC120J

partiture parte: 1523

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 20A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Microsemi Corporation

APTDC902U601G

partiture parte: 4122

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 90A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 90A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT10SCD120BCT

partiture parte: 3952

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 36A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 10A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X150DL60J

partiture parte: 2369

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 150A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.6V @ 150A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X41DC120J

partiture parte: 952

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 40A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 40A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X50DC120J

partiture parte: 777

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 50A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 50A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT60DQ120LCTG

partiture parte: 3868

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 3.3V @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT8DQ60KCTG

partiture parte: 3871

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.4V @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT60D30LCTG

partiture parte: 3895

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT60D20LCTG

partiture parte: 3885

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT40DQ120BCTG

partiture parte: 4438

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 40A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 3.3V @ 40A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT40DQ100BCTG

partiture parte: 3858

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 40A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 3V @ 40A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT30DS60BG

partiture parte: 6132

Configurazione Diode: 1 Pair Series Connection, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 4V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT30DQ100BCTG

partiture parte: 3860

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 3V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X60DQ60J

partiture parte: 4074

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.3V @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X60D40J

partiture parte: 3544

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X60D20J

partiture parte: 3886

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X30D40J

partiture parte: 4128

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X30D30J

partiture parte: 4064

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X100D30J

partiture parte: 3857

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X100D40J

partiture parte: 2926

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X100D20J

partiture parte: 2701

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT15S20KCTG

partiture parte: 3861

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 25A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 830mV @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X100D120J

partiture parte: 2138

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 93A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.5V @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT15S20BCTG

partiture parte: 3837

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 25A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 830mV @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT15DS60BG

partiture parte: 7305

Configurazione Diode: 1 Pair Series Connection, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 13A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 4V @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT15D60BCAG

partiture parte: 3892

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 14A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT15DQ120BCTG

partiture parte: 3827

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 3.3V @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT15D120BCTG

partiture parte: 3855

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.5V @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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