Diodi - Raddrizzatori - Matrici | Prudutti Discreti à Semiconduttore | 13

APT2X31D40J

partiture parte: 4070

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT60D100LCTG

partiture parte: 7231

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.5V @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X30D20J

partiture parte: 4061

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X60DQ100J

partiture parte: 4327

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.8V @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X31D30J

partiture parte: 4123

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT15D40BCTG

partiture parte: 21384

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X61D30J

partiture parte: 3608

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT30S20BCTG

partiture parte: 11061

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 45A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 850mV @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X60D100J

partiture parte: 3002

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 55A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.5V @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT60DQ100LCTG

partiture parte: 10467

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 3V @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X101DQ100J

partiture parte: 2781

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.7V @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT60D40LCTG

partiture parte: 8028

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X61D40J

partiture parte: 3276

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X100DQ120J

partiture parte: 2629

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 3V @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X30DQ120J

partiture parte: 4008

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 3.1V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X61DQ120J

partiture parte: 3039

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 3.1V @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X101DL40J

partiture parte: 2799

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.125V @ 100A, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Microsemi Corporation

APT60S20B2CTG

partiture parte: 7322

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 75A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 900mV @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X31D60J

partiture parte: 309

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APTDF400AA120G

partiture parte: 1110

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 470A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 3V @ 400A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APTDF400AK60G

partiture parte: 1164

Configurazione Diode: 1 Pair Series Connection, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 500A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2V @ 400A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APTDF400AA60G

partiture parte: 1223

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 500A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2V @ 400A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APTDF400AA170G

partiture parte: 803

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1700V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 480A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.5V @ 400A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APTDF400KK100G

partiture parte: 1161

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 500A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.7V @ 400A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APTDF400AK20G

partiture parte: 1158

Configurazione Diode: 1 Pair Series Connection, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 500A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 400A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APTDF400AK120G

partiture parte: 930

Configurazione Diode: 1 Pair Series Connection, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 470A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 3V @ 400A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APTDF400AK170G

partiture parte: 896

Configurazione Diode: 1 Pair Series Connection, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1700V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 480A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.5V @ 400A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APTDF400AA100G

partiture parte: 1169

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 500A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.7V @ 400A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APTDF400KK60G

partiture parte: 812

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 500A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2V @ 400A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APTDF400KK120G

partiture parte: 985

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 470A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 3V @ 400A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APTDF400AA20G

partiture parte: 1188

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 500A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 400A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APTDF400AK100G

partiture parte: 1141

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 500A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.7V @ 400A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X31DQ120J

partiture parte: 3273

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 3.1V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X51DC120J

partiture parte: 650

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 50A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 50A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT30D120BCTG

partiture parte: 8242

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.5V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X100D60J

partiture parte: 2784

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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