Diodi - Raddrizzatori - Unicu | Prudutti Discreti à Semiconduttore | 62

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 340mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

1N5712

partiture parte: 8650

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 75mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 35mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Microsemi Corporation

1N6761

partiture parte: 117

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 690mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

1N5712UR-1

partiture parte: 115

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Microsemi Corporation

1N6864

partiture parte: 68

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Microsemi Corporation

1N6858UR-1

partiture parte: 102

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Microsemi Corporation

1N6642UBCA

partiture parte: 137

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Microsemi Corporation

1N4148UB2R

partiture parte: 177

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Microsemi Corporation

1N6642UBCC

partiture parte: 93

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Microsemi Corporation

1N4148UB2

partiture parte: 122

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Microsemi Corporation

1N6642UB2R

partiture parte: 118

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Microsemi Corporation

1N6642UB2

partiture parte: 113

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Microsemi Corporation

1N6628US

partiture parte: 3334

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 660V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.75A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.35V @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 30ns,