Diodi - Raddrizzatori di Ponte | Prudutti Discreti à Semiconduttore | 5

APT75DL120HJ

partiture parte: 3436

Tipu di Diode: Single Phase, Tecnulugia: Standard, Tensione - Peak Reverse (Max): 1.2kV, Current - Mediu Rettificatu (Io): 75A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.1V @ 75A, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 250µA @ 1200V,

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Microsemi Corporation

APTDF100H20G

partiture parte: 1745

Tipu di Diode: Single Phase, Tecnulugia: Standard, Tensione - Peak Reverse (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 145A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 100A, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 250µA @ 200V,

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Microsemi Corporation

APTDF60H601G

partiture parte: 2946

Tipu di Diode: Single Phase, Tecnulugia: Standard, Tensione - Peak Reverse (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 92A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.3V @ 60A, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 25µA @ 600V,

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Microsemi Corporation

APT30DF60HJ

partiture parte: 4765

Tipu di Diode: Single Phase, Tecnulugia: Standard, Tensione - Peak Reverse (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.2V @ 30A, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 250µA @ 600V,

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Microsemi Corporation

APT30DF20HJ

partiture parte: 6108

Tipu di Diode: Single Phase, Tecnulugia: Standard, Tensione - Peak Reverse (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 45A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 30A, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 250µA @ 200V,

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Microsemi Corporation

APTDF200H100G

partiture parte: 1141

Tipu di Diode: Single Phase, Tecnulugia: Standard, Tensione - Peak Reverse (Max): 1kV, Current - Mediu Rettificatu (Io): 255A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.7V @ 200A, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 100µA @ 1000V,

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Microsemi Corporation

APT75DF170HJ

partiture parte: 2789

Tipu di Diode: Single Phase, Tecnulugia: Standard, Tensione - Peak Reverse (Max): 1.7kV, Current - Mediu Rettificatu (Io): 75A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.2V @ 75A, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 250µA @ 1700V,

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Microsemi Corporation

APTDF100H100G

partiture parte: 1774

Tipu di Diode: Single Phase, Tecnulugia: Standard, Tensione - Peak Reverse (Max): 1kV, Current - Mediu Rettificatu (Io): 130A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.7V @ 100A, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 100µA @ 1000V,

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Microsemi Corporation

APT100DL60HJ

partiture parte: 4271

Tipu di Diode: Single Phase, Tecnulugia: Standard, Tensione - Peak Reverse (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2V @ 100A, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 250µA @ 600V,

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Microsemi Corporation

APTDF60H1201G

partiture parte: 2732

Tipu di Diode: Single Phase, Tecnulugia: Standard, Tensione - Peak Reverse (Max): 1.2kV, Current - Mediu Rettificatu (Io): 82A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 3V @ 60A, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 100µA @ 1200V,

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Microsemi Corporation

APT60DF60HJ

partiture parte: 3669

Tipu di Diode: Single Phase, Tecnulugia: Standard, Tensione - Peak Reverse (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 90A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.3V @ 60A, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 25µA @ 600V,

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Microsemi Corporation

APTDF30H601G

partiture parte: 3265

Tipu di Diode: Single Phase, Tecnulugia: Standard, Tensione - Peak Reverse (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 42A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.2V @ 30A, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 250µA @ 600V,

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Microsemi Corporation

APTDF200H170G

partiture parte: 851

Tipu di Diode: Single Phase, Tecnulugia: Standard, Tensione - Peak Reverse (Max): 1.7kV, Current - Mediu Rettificatu (Io): 240A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 3V @ 200A, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 350µA @ 1700V,

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Microsemi Corporation

APTDF30H1201G

partiture parte: 3161

Tipu di Diode: Single Phase, Tecnulugia: Standard, Tensione - Peak Reverse (Max): 1.2kV, Current - Mediu Rettificatu (Io): 43A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 3.1V @ 30A, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 100µA @ 1200V,

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Microsemi Corporation

APTDR40X1601G

partiture parte: 2893

Tipu di Diode: Three Phase, Tecnulugia: Standard, Tensione - Peak Reverse (Max): 1.6kV, Current - Mediu Rettificatu (Io): 40A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 40A, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 20µA @ 1600V,

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Microsemi Corporation

APTDF200H60G

partiture parte: 968

Tipu di Diode: Single Phase, Tecnulugia: Standard, Tensione - Peak Reverse (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 270A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2V @ 200A, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 350µA @ 600V,

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Microsemi Corporation

APT40DR160HJ

partiture parte: 3690

Tipu di Diode: Single Phase, Tecnulugia: Standard, Tensione - Peak Reverse (Max): 1.6kV, Current - Mediu Rettificatu (Io): 40A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 40A, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 20µA @ 1600V,

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Microsemi Corporation

APTDC40H601G

partiture parte: 840

Tipu di Diode: Single Phase, Tecnulugia: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Peak Reverse (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 40A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 40A, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 800µA @ 600V,

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Microsemi Corporation

APT40DC60HJ

partiture parte: 933

Tipu di Diode: Single Phase, Tecnulugia: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Peak Reverse (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 40A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 40A, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 800µA @ 600V,

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Microsemi Corporation

APTDC20H1201G

partiture parte: 862

Tipu di Diode: Single Phase, Tecnulugia: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Peak Reverse (Max): 1.2kV, Current - Mediu Rettificatu (Io): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 20A, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 400µA @ 1200V,

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Microsemi Corporation

APTDC20H601G

partiture parte: 8742

Tipu di Diode: Single Phase, Tecnulugia: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Peak Reverse (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 20A, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 400µA @ 600V,

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Microsemi Corporation

APTDC10H601G

partiture parte: 8792

Tipu di Diode: Single Phase, Tecnulugia: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Peak Reverse (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 10A, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 200µA @ 600V,

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Microsemi Corporation

APT40DC120HJ

partiture parte: 386

Tipu di Diode: Single Phase, Tecnulugia: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Peak Reverse (Max): 1.2kV, Current - Mediu Rettificatu (Io): 40A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 40A, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 800µA @ 1200V,

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Microsemi Corporation

APT20DC120HJ

partiture parte: 918

Tipu di Diode: Single Phase, Tecnulugia: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Peak Reverse (Max): 1.2kV, Current - Mediu Rettificatu (Io): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 20A, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 400µA @ 1200V,

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Microsemi Corporation

APT60DF20HJ

partiture parte: 4759

Tipu di Diode: Single Phase, Tecnulugia: Standard, Tensione - Peak Reverse (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 90A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.15V @ 60A, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 250µA @ 200V,

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Microsemi Corporation

APT06DC60HJ

partiture parte: 8736

Tipu di Diode: Single Phase, Tecnulugia: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Peak Reverse (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 6A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 6A, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 200µA @ 600V,

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Microsemi Corporation

APT60DS20HJ

partiture parte: 8775

Tipu di Diode: Single Phase, Tecnulugia: Schottky, Tensione - Peak Reverse (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 90A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 900mV @ 60A, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 1mA @ 200V,

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Microsemi Corporation

APT75DL60HJ

partiture parte: 8758

Tipu di Diode: Single Phase, Tecnulugia: Standard, Tensione - Peak Reverse (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 75A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2V @ 75A, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 250µA @ 600V,

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Microsemi Corporation

APT60DS04HJ

partiture parte: 8748

Tipu di Diode: Single Phase, Tecnulugia: Schottky, Tensione - Peak Reverse (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 580mV @ 60A, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 30mA @ 45V,

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Microsemi Corporation

APT60DS10HJ

partiture parte: 8788

Tipu di Diode: Single Phase, Tecnulugia: Schottky, Tensione - Peak Reverse (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 910mV @ 60A, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 2mA @ 100V,

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Microsemi Corporation

APT60DF100HJ

partiture parte: 8782

Tipu di Diode: Single Phase, Tecnulugia: Standard, Tensione - Peak Reverse (Max): 1kV, Current - Mediu Rettificatu (Io): 90A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.8V @ 60A, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 100µA @ 1000V,

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Microsemi Corporation

APT60DF120HJ

partiture parte: 8700

Tipu di Diode: Single Phase, Tecnulugia: Standard, Tensione - Peak Reverse (Max): 1.2kV, Current - Mediu Rettificatu (Io): 90A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 3V @ 60A, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 100µA @ 1200V,

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Microsemi Corporation

APT40DS10HJ

partiture parte: 8706

Tipu di Diode: Single Phase, Tecnulugia: Standard, Tensione - Peak Reverse (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 40A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 880mV @ 40A, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 1mA @ 100V,

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Microsemi Corporation

APT50DL120HJ

partiture parte: 8760

Tipu di Diode: Single Phase, Tecnulugia: Standard, Tensione - Peak Reverse (Max): 1.2kV, Current - Mediu Rettificatu (Io): 50A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.1V @ 50A, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 250µA @ 1200V,

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Microsemi Corporation

APT40DS04HJ

partiture parte: 8718

Tipu di Diode: Single Phase, Tecnulugia: Standard, Tensione - Peak Reverse (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 40A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 580mV @ 40A, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 20mA @ 45V,

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Microsemi Corporation

APT35DL120HJ

partiture parte: 8751

Tipu di Diode: Single Phase, Tecnulugia: Standard, Tensione - Peak Reverse (Max): 1.2kV, Current - Mediu Rettificatu (Io): 35A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.1V @ 35A, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 250µA @ 1200V,

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