Diodi - Raddrizzatori - Unicu | Prudutti Discreti à Semiconduttore | 13

PMEG6030EP,115

partiture parte: 187749

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 530mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG6010EP,115

partiture parte: 175274

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 530mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG2010BELD,315

partiture parte: 190524

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 490mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.6ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG6030ELPX

partiture parte: 101642

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 670mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 12ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG2005ET,215

partiture parte: 159262

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 500mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 390mV @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG6002EB,115

partiture parte: 192179

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 600mV @ 200mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Nexperia USA Inc.

PMEG2010EJ,115

partiture parte: 146907

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 500mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG4010CEJ,115

partiture parte: 145088

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 570mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG2010AET,215

partiture parte: 125424

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 430mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG6020ELRX

partiture parte: 159919

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 760mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG10020AELRX

partiture parte: 153731

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 770mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 5ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG3002AEL,315

partiture parte: 186731

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 480mV @ 200mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Nexperia USA Inc.

PMEG2010ET,215

partiture parte: 133401

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 500mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG4030ER/8X

partiture parte: 163535

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 540mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG6010CEJ,115

partiture parte: 174379

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 660mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG4010ETR,115

partiture parte: 130061

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 490mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4.4ns,

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Nexperia USA Inc.

PNS40010ER,115

partiture parte: 139560

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.8µs,

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Nexperia USA Inc.

PNE20020ERX

partiture parte: 8386

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 980mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 25ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG4010ER,115

partiture parte: 181467

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 490mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG10010ELRX

partiture parte: 142663

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 770mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 3.7ns,

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Nexperia USA Inc.

PMBD6050,235

partiture parte: 149822

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 70V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 215mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 150mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4ns,

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Nexperia USA Inc.

PMBD6050,215

partiture parte: 134792

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 70V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 215mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 150mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4ns,

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