Transistori - FET, MOSFET - Unicu

2N7000BU

partiture parte: 155891

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 200mA (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7000-D26Z

partiture parte: 30133

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

2V7002WT1G

partiture parte: 187851

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 310mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002KW

partiture parte: 157123

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 310mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7000TA

partiture parte: 141923

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 200mA (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

2V7002KT1G

partiture parte: 170630

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 320mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002KT1G

partiture parte: 188988

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 320mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002WT1G

partiture parte: 194951

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 310mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

2V7002LT3G

partiture parte: 180012

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 115mA (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002L

partiture parte: 150772

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 115mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7000

partiture parte: 155873

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002W

partiture parte: 158579

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 115mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

2N7002LT3G

partiture parte: 113499

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 115mA (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002K

partiture parte: 167894

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002ET1G

partiture parte: 156724

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 260mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 240mA, 10V,

2V7002LT1G

partiture parte: 187770

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 115mA (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002

partiture parte: 115378

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 115mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002LT1G

partiture parte: 126299

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 115mA (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

3LP01SS-TL-EX

partiture parte: 2251

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LN01C-TB-E

partiture parte: 130398

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 150mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LP01SS-TL-E

partiture parte: 174489

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LP01S-TL-E

partiture parte: 1963

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LN01SS-TL-E

partiture parte: 161259

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 150mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LN01M-TL-H

partiture parte: 137899

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 150mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LN01M-TL-E

partiture parte: 133843

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 150mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LP01M-TL-H

partiture parte: 111476

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LP01C-TB-E

partiture parte: 1924

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LN01S-TL-E

partiture parte: 1979

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 150mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LP01S-K-TL-E

partiture parte: 1806

3LP01M-TL-E

partiture parte: 137438

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LP01C-TB-H

partiture parte: 1190

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LP01SS-TL-H

partiture parte: 1133

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LN01SS-TL-H

partiture parte: 1184

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 150mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LN01C-TB-H

partiture parte: 1110

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 150mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LN01S-K-TL-E

partiture parte: 9511

5LN01C-TB-EX

partiture parte: 2353