Transistori - FET, MOSFET - Unicu

5HN01C-TB-EX

partiture parte: 2210

5HP01M-TL-H

partiture parte: 110639

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 50V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 70mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 Ohm @ 40mA, 10V,

5LN01M-TL-H

partiture parte: 114622

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 50V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5HP01S-TL-E

partiture parte: 1973

5HP01SS-TL-E

partiture parte: 142336

5HP01SS-TL-H

partiture parte: 108914

5HP01C-TB-H

partiture parte: 157648

5HP01M-TL-E

partiture parte: 1963

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 50V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 70mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 Ohm @ 40mA, 10V,

5HN01S-TL-E

partiture parte: 1979

5HP01C-TB-E

partiture parte: 6246

5HN01SS-TL-H

partiture parte: 146833

5HN01SS-TL-E

partiture parte: 154338

5HN01M-TL-E

partiture parte: 1932

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 50V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 10V,

5HN01M-TL-H

partiture parte: 102036

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 50V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 10V,

5HN01C-TB-H

partiture parte: 147399

5HN01C-TB-E

partiture parte: 176441

5LN01SP-AC

partiture parte: 6260

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 50V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LN01C-TB-E

partiture parte: 128226

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 50V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LP01M-TL-HX

partiture parte: 1826

5LP01SP

partiture parte: 1894

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 50V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 70mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LP01M-TL-E

partiture parte: 6268

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 50V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 70mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LN01SP

partiture parte: 1839

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 50V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LN01M-TL-E

partiture parte: 1842

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 50V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LP01SS-TL-H

partiture parte: 6223

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 50V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 70mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LP01SS-TL-E

partiture parte: 1441

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 50V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 70mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LP01S-TL-E

partiture parte: 1507

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 50V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 70mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LP01C-TB-H

partiture parte: 174960

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 50V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 70mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LP01C-TB-E

partiture parte: 128915

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 50V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 70mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LN01SS-TL-H

partiture parte: 1448

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 50V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LN01C-TB-H

partiture parte: 6222

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 50V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LN01S-TL-E

partiture parte: 1469

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 50V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LN01SS-TL-E

partiture parte: 109264

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 50V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LP01M-TL-H

partiture parte: 185339

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 50V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 70mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5X49_BG7002B

partiture parte: 646

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V,

5LP01SP-AC

partiture parte: 9476

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 50V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 70mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

6HP04MH-TL-W

partiture parte: 133677

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 370mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 Ohm @ 190mA, 10V,