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Transistori - Bipolari (BJT) - Singuli, Pre-Pregiu

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FJX4008RTF
ON Semiconductor

FJX4008RTF

partiture parte: 2118

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

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NSVMUN2233T1G
ON Semiconductor

NSVMUN2233T1G

partiture parte: 128399

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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FJY3002R
ON Semiconductor

FJY3002R

partiture parte: 173959

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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MUN5216T1
ON Semiconductor

MUN5216T1

partiture parte: 1871

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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MUN5231T1
ON Semiconductor

MUN5231T1

partiture parte: 1922

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 2.2 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

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NSVDTC123JET1G
ON Semiconductor

NSVDTC123JET1G

partiture parte: 119366

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSBA114YF3T5G
ON Semiconductor

NSBA114YF3T5G

partiture parte: 119130

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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FJN3302RTA
ON Semiconductor

FJN3302RTA

partiture parte: 118552

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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FJV3102RMTF
ON Semiconductor

FJV3102RMTF

partiture parte: 155941

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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MUN5235T1
ON Semiconductor

MUN5235T1

partiture parte: 1934

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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DTC114TM3T5G
ON Semiconductor

DTC114TM3T5G

partiture parte: 126995

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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NSBC114YF3T5G
ON Semiconductor

NSBC114YF3T5G

partiture parte: 144543

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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SMUN5115T1G
ON Semiconductor

SMUN5115T1G

partiture parte: 172520

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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FJN4306RTA
ON Semiconductor

FJN4306RTA

partiture parte: 2013

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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NSVDTC123EM3T5G
ON Semiconductor

NSVDTC123EM3T5G

partiture parte: 126152

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 2.2 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

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NSBA143ZF3T5G
ON Semiconductor

NSBA143ZF3T5G

partiture parte: 157289

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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FJX4001RTF
ON Semiconductor

FJX4001RTF

partiture parte: 1966

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V,

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NSB9435T1G
ON Semiconductor

NSB9435T1G

partiture parte: 172172

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 3A, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 30V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 800mA, 1V,

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FJV3101RMTF
ON Semiconductor

FJV3101RMTF

partiture parte: 163797

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V,

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NSBC143ZF3T5G
ON Semiconductor

NSBC143ZF3T5G

partiture parte: 124170

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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MUN2233T1
ON Semiconductor

MUN2233T1

partiture parte: 1867

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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FJNS4208RBU
ON Semiconductor

FJNS4208RBU

partiture parte: 2020

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

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SMUN2230T1G
ON Semiconductor

SMUN2230T1G

partiture parte: 178747

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 1 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 1 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

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FJV3115RMTF
ON Semiconductor

FJV3115RMTF

partiture parte: 170458

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V,

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NSBC143EF3T5G
ON Semiconductor

NSBC143EF3T5G

partiture parte: 150999

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

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NSBC114TF3T5G
ON Semiconductor

NSBC114TF3T5G

partiture parte: 143954

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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MUN2134T1
ON Semiconductor

MUN2134T1

partiture parte: 1899

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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MUN5211T1G
ON Semiconductor

MUN5211T1G

partiture parte: 163259

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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NSVMMUN2131LT1G
ON Semiconductor

NSVMMUN2131LT1G

partiture parte: 130439

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 2.2 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

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SMUN2111T1G
ON Semiconductor

SMUN2111T1G

partiture parte: 180947

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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FJN4305RTA
ON Semiconductor

FJN4305RTA

partiture parte: 145093

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Wishlist
MUN5112T1G
ON Semiconductor

MUN5112T1G

partiture parte: 141842

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Wishlist
FJY4009R
ON Semiconductor

FJY4009R

partiture parte: 2005

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 40V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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NSVMMUN2237LT1G
ON Semiconductor

NSVMMUN2237LT1G

partiture parte: 170845

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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MUN5215T1
ON Semiconductor

MUN5215T1

partiture parte: 1921

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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NSVDTA144EET1G
ON Semiconductor

NSVDTA144EET1G

partiture parte: 160376

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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