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Transistori - Bipolari (BJT) - Singuli, Pre-Pregiu

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MUN2130T1G
ON Semiconductor

MUN2130T1G

partiture parte: 154864

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 1 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 1 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

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MUN2111T3G
ON Semiconductor

MUN2111T3G

partiture parte: 1919

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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DTA123JET1G
ON Semiconductor

DTA123JET1G

partiture parte: 1906

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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FJY4008R
ON Semiconductor

FJY4008R

partiture parte: 1934

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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MUN5111T1G
ON Semiconductor

MUN5111T1G

partiture parte: 120419

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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MMUN2111LT3G
ON Semiconductor

MMUN2111LT3G

partiture parte: 122130

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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MMUN2130LT1
ON Semiconductor

MMUN2130LT1

partiture parte: 1941

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 1 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 1 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

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MMUN2211LT1G
ON Semiconductor

MMUN2211LT1G

partiture parte: 122504

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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SMMUN2211LT3G
ON Semiconductor

SMMUN2211LT3G

partiture parte: 197863

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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SMMUN2134LT1G
ON Semiconductor

SMMUN2134LT1G

partiture parte: 138104

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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MMUN2130LT1G
ON Semiconductor

MMUN2130LT1G

partiture parte: 32318

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 1 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 1 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

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MMUN2134LT1G
ON Semiconductor

MMUN2134LT1G

partiture parte: 178824

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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MMUN2131LT1G
ON Semiconductor

MMUN2131LT1G

partiture parte: 154939

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 2.2 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

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DTA144WET1G
ON Semiconductor

DTA144WET1G

partiture parte: 157961

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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SMUN5211T3G
ON Semiconductor

SMUN5211T3G

partiture parte: 131719

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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MMUN2231LT1G
ON Semiconductor

MMUN2231LT1G

partiture parte: 156072

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 2.2 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

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DTA143EM3T5G
ON Semiconductor

DTA143EM3T5G

partiture parte: 174201

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

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MMUN2137LT1G
ON Semiconductor

MMUN2137LT1G

partiture parte: 130552

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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MUN5216T1G
ON Semiconductor

MUN5216T1G

partiture parte: 145736

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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MUN2238T1G
ON Semiconductor

MUN2238T1G

partiture parte: 176546

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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DTC143TET1
ON Semiconductor

DTC143TET1

partiture parte: 1853

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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MMUN2215LT1
ON Semiconductor

MMUN2215LT1

partiture parte: 1918

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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FJV3113RMTF
ON Semiconductor

FJV3113RMTF

partiture parte: 127568

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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MUN2213T1G
ON Semiconductor

MUN2213T1G

partiture parte: 193042

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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DTA124EET1G
ON Semiconductor

DTA124EET1G

partiture parte: 1927

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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MMUN2113LT1G
ON Semiconductor

MMUN2113LT1G

partiture parte: 164318

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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SMMUN2214LT1G
ON Semiconductor

SMMUN2214LT1G

partiture parte: 110548

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist
DTC144EET1G
ON Semiconductor

DTC144EET1G

partiture parte: 103583

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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MUN5137T1G
ON Semiconductor

MUN5137T1G

partiture parte: 135914

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist
SMMUN2113LT1G
ON Semiconductor

SMMUN2113LT1G

partiture parte: 185362

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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MUN5113T1G
ON Semiconductor

MUN5113T1G

partiture parte: 187120

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist
MUN2112T1G
ON Semiconductor

MUN2112T1G

partiture parte: 105502

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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FJY3015R
ON Semiconductor

FJY3015R

partiture parte: 1886

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V,

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FJY4012R
ON Semiconductor

FJY4012R

partiture parte: 1860

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 40V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Wishlist
DTA123JM3T5G
ON Semiconductor

DTA123JM3T5G

partiture parte: 99779

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist
MUN2135T1G
ON Semiconductor

MUN2135T1G

partiture parte: 186730

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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