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Transistori - Bipolari (BJT) - Singuli, Pre-Pregiu

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FJNS3204RBU
ON Semiconductor

FJNS3204RBU

partiture parte: 3243

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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FJN4303RBU
ON Semiconductor

FJN4303RBU

partiture parte: 2230

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

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NSVDTA123EM3T5G
ON Semiconductor

NSVDTA123EM3T5G

partiture parte: 182177

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 2.2 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

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FJNS4204RTA
ON Semiconductor

FJNS4204RTA

partiture parte: 2293

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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FJNS3211RTA
ON Semiconductor

FJNS3211RTA

partiture parte: 2294

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 40V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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MUN5137T1
ON Semiconductor

MUN5137T1

partiture parte: 3303

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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FJNS4208RTA
ON Semiconductor

FJNS4208RTA

partiture parte: 3279

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

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NSBC123EF3T5G
ON Semiconductor

NSBC123EF3T5G

partiture parte: 143495

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 2.2 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

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FJV4103RMTF
ON Semiconductor

FJV4103RMTF

partiture parte: 2286

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

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FJN4312RBU
ON Semiconductor

FJN4312RBU

partiture parte: 2260

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 40V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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NSVDTC114YM3T5G
ON Semiconductor

NSVDTC114YM3T5G

partiture parte: 108979

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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FJNS3214RTA
ON Semiconductor

FJNS3214RTA

partiture parte: 2254

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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DTA123TET1G
ON Semiconductor

DTA123TET1G

partiture parte: 145984

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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FJN3306RTA
ON Semiconductor

FJN3306RTA

partiture parte: 3294

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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DTA115EET1
ON Semiconductor

DTA115EET1

partiture parte: 3306

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 100 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 100 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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DTC115TET1G
ON Semiconductor

DTC115TET1G

partiture parte: 111333

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 100 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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NSBA143EF3T5G
ON Semiconductor

NSBA143EF3T5G

partiture parte: 123571

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

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FJN3311RBU
ON Semiconductor

FJN3311RBU

partiture parte: 2234

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 40V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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FJN3310RTA
ON Semiconductor

FJN3310RTA

partiture parte: 2283

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 40V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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FJNS4207RBU
ON Semiconductor

FJNS4207RBU

partiture parte: 2310

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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MUN5141T1G
ON Semiconductor

MUN5141T1G

partiture parte: 159892

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 100 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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FJN3313RBU
ON Semiconductor

FJN3313RBU

partiture parte: 2283

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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FJNS3209RBU
ON Semiconductor

FJNS3209RBU

partiture parte: 2256

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 40V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Wishlist
FJNS4202RBU
ON Semiconductor

FJNS4202RBU

partiture parte: 2305

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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FJNS3207RBU
ON Semiconductor

FJNS3207RBU

partiture parte: 2283

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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NSBC144TF3T5G
ON Semiconductor

NSBC144TF3T5G

partiture parte: 165088

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V,

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FJNS3206RTA
ON Semiconductor

FJNS3206RTA

partiture parte: 2263

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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MMUN2113LT1
ON Semiconductor

MMUN2113LT1

partiture parte: 2205

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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SMUN5215T1G
ON Semiconductor

SMUN5215T1G

partiture parte: 155996

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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MUN2214T1
ON Semiconductor

MUN2214T1

partiture parte: 2272

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist
MUN5136T1
ON Semiconductor

MUN5136T1

partiture parte: 2247

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 100 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 100 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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FJV3112RMTF
ON Semiconductor

FJV3112RMTF

partiture parte: 2218

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 40V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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FJN4312RTA
ON Semiconductor

FJN4312RTA

partiture parte: 3304

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 40V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Wishlist
FJNS3211RBU
ON Semiconductor

FJNS3211RBU

partiture parte: 2239

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 40V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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MMUN2141LT1G
ON Semiconductor

MMUN2141LT1G

partiture parte: 197568

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 100 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Wishlist
FJV4105RMTF
ON Semiconductor

FJV4105RMTF

partiture parte: 2290

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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