Transistori - Bipolari (BJT) - Matrici, Pre-Biased

NSBA124EDXV6T1

NSBA124EDXV6T1

partiture parte: 1456

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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NSBC144EPDXV6T5

NSBC144EPDXV6T5

partiture parte: 1405

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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EMG2DXV5T5

EMG2DXV5T5

partiture parte: 3242

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSBC115EDXV6T1G

NSBC115EDXV6T1G

partiture parte: 129082

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 100 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 100 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSVMUN5316DW1T1G

NSVMUN5316DW1T1G

partiture parte: 160200

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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NSB1706DMW5T1G

NSB1706DMW5T1G

partiture parte: 136591

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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MUN5133DW1T1G

MUN5133DW1T1G

partiture parte: 183679

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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MUN5316DW1T1

MUN5316DW1T1

partiture parte: 1532

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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NSM21156DW6T1G

NSM21156DW6T1G

partiture parte: 1463

Tipu di transistore: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, 65V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V,

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MUN5130DW1T1G

MUN5130DW1T1G

partiture parte: 181618

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 1 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 1 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

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MUN5230DW1T1G

MUN5230DW1T1G

partiture parte: 155743

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 1 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 1 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

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NSTB1004DXV5T1G

NSTB1004DXV5T1G

partiture parte: 3211

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual),

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NSBC114YPDP6T5G

NSBC114YPDP6T5G

partiture parte: 167686

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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MUN5230DW1T1

MUN5230DW1T1

partiture parte: 1467

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 1 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 1 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

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MUN5136DW1T1

MUN5136DW1T1

partiture parte: 1413

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 100 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 100 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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UMA4NT1G

UMA4NT1G

partiture parte: 1478

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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NSBA123EDXV6T1G

NSBA123EDXV6T1G

partiture parte: 64095

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 2.2 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

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SMUN5214DW1T1G

SMUN5214DW1T1G

partiture parte: 115714

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSVBC114YPDXV65G

NSVBC114YPDXV65G

partiture parte: 1485

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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SMUN5230DW1T1G

SMUN5230DW1T1G

partiture parte: 174998

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 1 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 1 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

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SMUN5131DW1T1G

SMUN5131DW1T1G

partiture parte: 110079

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 2.2 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

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NSBA144EDP6T5G

NSBA144EDP6T5G

partiture parte: 162633

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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MUN5137DW1T1G

MUN5137DW1T1G

partiture parte: 3198

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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MUN5315DW1T1G

MUN5315DW1T1G

partiture parte: 150495

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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NSBC123EDXV6T1

NSBC123EDXV6T1

partiture parte: 1458

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 2.2 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

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MUN5212DW1T1

MUN5212DW1T1

partiture parte: 1497

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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NSBC124EPDXV6T1G

NSBC124EPDXV6T1G

partiture parte: 188714

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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EMC5DXV5T1G

EMC5DXV5T1G

partiture parte: 130128

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V,

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NSVB123JPDXV6T1G

NSVB123JPDXV6T1G

partiture parte: 107622

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSBA115TDP6T5G

NSBA115TDP6T5G

partiture parte: 146030

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 100 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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MUN5232DW1T1

MUN5232DW1T1

partiture parte: 1444

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

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NSBC123JPDXV6T1

NSBC123JPDXV6T1

partiture parte: 1461

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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EMD5DXV6T5G

EMD5DXV6T5G

partiture parte: 162821

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V,

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NSBA114YDP6T5G

NSBA114YDP6T5G

partiture parte: 197883

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSVUMC2NT1G

NSVUMC2NT1G

partiture parte: 193262

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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SMUN5235DW1T3G

SMUN5235DW1T3G

partiture parte: 170254

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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