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Transistori - Bipolari (BJT) - Matrici, Pre-Biased

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NSBA143ZDP6T5G
ON Semiconductor

NSBA143ZDP6T5G

partiture parte: 126178

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSBC114YPDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC114YPDXV6T1

partiture parte: 1451

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSBC114TPDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC114TPDXV6T1

partiture parte: 1441

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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NSBC114EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC114EDXV6T1

partiture parte: 1483

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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NSBC123EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC123EDXV6T1G

partiture parte: 51685

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 2.2 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

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NSBA123JDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBA123JDXV6T1G

partiture parte: 3224

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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EMF5XV6T5
ON Semiconductor

EMF5XV6T5

partiture parte: 5392

Tipu di transistore: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, 12V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V,

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NSBC123JPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC123JPDXV6T1G

partiture parte: 150122

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSBC124EDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC124EDXV6T5G

partiture parte: 158612

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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NSVB143TPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVB143TPDXV6T1G

partiture parte: 118474

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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NSBC115EPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC115EPDXV6T1G

partiture parte: 423

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 100 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 100 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSBA114YDXV6T1
ON Semiconductor

NSBA114YDXV6T1

partiture parte: 1458

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSBA144WDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBA144WDXV6T1G

partiture parte: 112545

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSBC114TDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC114TDXV6T5G

partiture parte: 140654

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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UMA6NT1
ON Semiconductor

UMA6NT1

partiture parte: 1476

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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SMUN5114DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5114DW1T1G

partiture parte: 172445

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSBC124XPDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC124XPDXV6T5G

partiture parte: 1491

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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EMD5DXV6T1G
ON Semiconductor

EMD5DXV6T1G

partiture parte: 3186

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V,

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NSBC143EPDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC143EPDXV6T1

partiture parte: 1462

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

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MUN5334DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5334DW1T1G

partiture parte: 1472

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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MUN5234DW1T1
ON Semiconductor

MUN5234DW1T1

partiture parte: 1434

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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EMG2DXV5T1
ON Semiconductor

EMG2DXV5T1

partiture parte: 1505

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSB13211DW6T1G
ON Semiconductor

NSB13211DW6T1G

partiture parte: 3211

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms, 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 15 @ 5mA, 10V,

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NSVUMC5NT2G
ON Semiconductor

NSVUMC5NT2G

partiture parte: 151655

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V,

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MUN5312DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5312DW1T1G

partiture parte: 189298

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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NSBC143ZDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC143ZDXV6T1G

partiture parte: 189558

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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UMC2NT1G
ON Semiconductor

UMC2NT1G

partiture parte: 1438

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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EMD4DXV6T5G
ON Semiconductor

EMD4DXV6T5G

partiture parte: 147880

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSBA124EDP6T5G
ON Semiconductor

NSBA124EDP6T5G

partiture parte: 21627

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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