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Diodi - Zener - Single

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MTZJ4V7SC R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ4V7SC R0G

partiture parte: 176

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 4.81V, Tulleranza: ±2%, Potenza - Max: 500mW, Impedenza (Max) (Zzt): 80 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 1V,

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TSZL52C11 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C11 RWG

partiture parte: 207

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 11V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 200mW, Impedenza (Max) (Zzt): 20 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 100nA @ 8.5V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 900mV @ 10mA,

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MTZJ5V6SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ5V6SB R0G

partiture parte: 166

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 5.59V, Tulleranza: ±2%, Potenza - Max: 500mW, Impedenza (Max) (Zzt): 60 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 2.5V,

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UDZS16B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

UDZS16B RRG

partiture parte: 253

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 16V, Tulleranza: ±2%, Potenza - Max: 200mW, Impedenza (Max) (Zzt): 40 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 45nA @ 12V,

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MTZJ6V8SC R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ6V8SC R0G

partiture parte: 237

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 6.84V, Tulleranza: ±2%, Potenza - Max: 500mW, Impedenza (Max) (Zzt): 20 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 2µA @ 3.5V,

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MTZJ13SC R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ13SC R0G

partiture parte: 202

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 13.33V, Tulleranza: ±2%, Potenza - Max: 500mW, Impedenza (Max) (Zzt): 35 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 200nA @ 10V,

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MTZJ20SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ20SA R0G

partiture parte: 196

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 18.49V, Tulleranza: ±2%, Potenza - Max: 500mW, Impedenza (Max) (Zzt): 55 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 200nA @ 15V,

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MTZJ33SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ33SA R0G

partiture parte: 173

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 30.45V, Tulleranza: ±2%, Potenza - Max: 500mW, Impedenza (Max) (Zzt): 65 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 200nA @ 25V,

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TSZL52C13 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C13 RWG

partiture parte: 209

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 13V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 200mW, Impedenza (Max) (Zzt): 25 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 100nA @ 10V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 900mV @ 10mA,

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ZM4746A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4746A L0G

partiture parte: 194

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 18V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 20 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 13.7V,

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MTZJ47S R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ47S R0G

partiture parte: 206

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 46.5V, Tulleranza: ±2%, Potenza - Max: 500mW, Impedenza (Max) (Zzt): 90 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 200nA @ 36V,

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ZM4739A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4739A L0G

partiture parte: 232

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 5 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 10µA @ 7V,

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TSZL52C10 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C10 RWG

partiture parte: 205

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 10V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 200mW, Impedenza (Max) (Zzt): 15 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 100nA @ 7.5V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 900mV @ 10mA,

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MTZJ20SD R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ20SD R0G

partiture parte: 235

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 20.22V, Tulleranza: ±2%, Potenza - Max: 500mW, Impedenza (Max) (Zzt): 55 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 200nA @ 15V,

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MTZJ5V6SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ5V6SA R0G

partiture parte: 228

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 5.42V, Tulleranza: ±2%, Potenza - Max: 500mW, Impedenza (Max) (Zzt): 60 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 2.5V,

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MTZJ43S R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ43S R0G

partiture parte: 204

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 42.5V, Tulleranza: ±2%, Potenza - Max: 500mW, Impedenza (Max) (Zzt): 90 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 200nA @ 33V,

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MTZJ18SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ18SB R0G

partiture parte: 219

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 17.26V, Tulleranza: ±2%, Potenza - Max: 500mW, Impedenza (Max) (Zzt): 45 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 200nA @ 13V,

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ZM4730A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4730A L0G

partiture parte: 201

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 3.9V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 9 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 50µA @ 1V,

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TSZL52C15 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C15 RWG

partiture parte: 179

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 15V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 200mW, Impedenza (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 100nA @ 11V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 900mV @ 10mA,

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MTZJ6V2SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ6V2SA R0G

partiture parte: 162

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 5.94V, Tulleranza: ±2%, Potenza - Max: 500mW, Impedenza (Max) (Zzt): 60 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 3V,

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MMSZ5231B RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

MMSZ5231B RHG

partiture parte: 208

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 500mW, Impedenza (Max) (Zzt): 17 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 2V,

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ZM4747A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4747A L0G

partiture parte: 166

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 20V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 22 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 15.2V,

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TSZL52C9V1 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C9V1 RWG

partiture parte: 156

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 200mW, Impedenza (Max) (Zzt): 10 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 100nA @ 7V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 900mV @ 10mA,

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MTZJ2V0SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ2V0SA R0G

partiture parte: 206

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 1.99V, Tulleranza: ±2%, Potenza - Max: 500mW, Impedenza (Max) (Zzt): 100 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 120µA @ 500mV,

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MTZJ22SC R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ22SC R0G

partiture parte: 197

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 21.63V, Tulleranza: ±2%, Potenza - Max: 500mW, Impedenza (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 200nA @ 17V,

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MTZJ24SC R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ24SC R0G

partiture parte: 211

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 23.72V, Tulleranza: ±2%, Potenza - Max: 500mW, Impedenza (Max) (Zzt): 35 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 200nA @ 19V,

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MMSZ5241B RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

MMSZ5241B RHG

partiture parte: 219

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 11V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 500mW, Impedenza (Max) (Zzt): 22 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 2µA @ 8.4V,

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MTZJ3V3SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ3V3SA R0G

partiture parte: 203

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 3.27V, Tulleranza: ±2%, Potenza - Max: 500mW, Impedenza (Max) (Zzt): 120 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 20µA @ 1V,

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UDZS6V8B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

UDZS6V8B RRG

partiture parte: 167

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, Tulleranza: ±2%, Potenza - Max: 200mW, Impedenza (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 1.8µA @ 4V,

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MTZJ12SC R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ12SC R0G

partiture parte: 252

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 12.05V, Tulleranza: ±2%, Potenza - Max: 500mW, Impedenza (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 200nA @ 9V,

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ZM4745A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4745A L0G

partiture parte: 216

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 16V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 16 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 12.2V,

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TSZL52C12 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C12 RWG

partiture parte: 183

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 12V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 200mW, Impedenza (Max) (Zzt): 20 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 100nA @ 9V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 900mV @ 10mA,

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MMSZ5252B RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

MMSZ5252B RHG

partiture parte: 171

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 24V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 500mW, Impedenza (Max) (Zzt): 33 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 100nA @ 18V,

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UDZS24B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

UDZS24B RRG

partiture parte: 211

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 24V, Tulleranza: ±2%, Potenza - Max: 200mW, Impedenza (Max) (Zzt): 80 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 45nA @ 19V,

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ZM4751A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4751A L0G

partiture parte: 182

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 30V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 40 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 22.8V,

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MTZJ15SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ15SB R0G

partiture parte: 179

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 14.26V, Tulleranza: ±2%, Potenza - Max: 500mW, Impedenza (Max) (Zzt): 40 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 200nA @ 11V,

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