Diodi - Raddrizzatori - Unicu | Prudutti Discreti à Semiconduttore | 100

1N5404GHR0G

partiture parte: 192

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 3A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5397G R0G

partiture parte: 161

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 1.5A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5395G R0G

partiture parte: 131

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 1.5A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5401GHR0G

partiture parte: 202

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 3A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5398G R0G

partiture parte: 156

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 1.5A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5395GHR0G

partiture parte: 137

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 1.5A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5399GHR0G

partiture parte: 168

Tipu di Diode: Standard, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 1.5A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N914B A0G

partiture parte: 197

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 150mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 720mV @ 5mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4448WS RRG

partiture parte: 260

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 150mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4148WS-G RVG

partiture parte: 190

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 75V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 150mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 150mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N914BW RHG

partiture parte: 255

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 75V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 150mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N914BWS RRG

partiture parte: 168

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 150mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1SS400 RKG

partiture parte: 193

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1SS400 RJG

partiture parte: 188

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4448W RHG

partiture parte: 235

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 75V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 150mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4448 A0G

partiture parte: 238

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 150mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 720mV @ 5mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5406G A0G

partiture parte: 2730

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 3A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5407G A0G

partiture parte: 2673

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 3A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

1SS355 RRG

partiture parte: 9926

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 150mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 100mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5408G A0G

partiture parte: 18907

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 3A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4005G A0G

partiture parte: 45250

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5819 A0G

partiture parte: 45208

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 600mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4007G A0G

partiture parte: 45194

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4148W-G RHG

partiture parte: 58797

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 150mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 150mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4148 A0G

partiture parte: 80158

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 150mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4148W RHG

partiture parte: 90868

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 150mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 100mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4148WS RRG

partiture parte: 170963

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 75V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 150mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1SS133M R0G

partiture parte: 158084

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 90V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 150mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 150mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

2A06G A0G

partiture parte: 101

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 2A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

2A07G A0G

partiture parte: 77

Tipu di Diode: Standard, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 2A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

2A02G A0G

partiture parte: 146

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 2A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

2A07GHA0G

partiture parte: 140

Tipu di Diode: Standard, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 2A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

2A01GHA0G

partiture parte: 126

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 2A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

2A03G B0G

partiture parte: 191

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 2A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

2A03GHB0G

partiture parte: 177

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 2A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

2A02GHA0G

partiture parte: 144

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 2A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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