Diodi - Raddrizzatori - Unicu

IRD3CH31DD6

partiture parte: 2359

D770N14TXPSA1

partiture parte: 2110

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 770A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.08V @ 400A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDV30E65D2XKSA1

partiture parte: 46154

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 30A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.2V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 42ns,

IDV20E65D1XKSA1

partiture parte: 47923

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 28A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 20A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 42ns,

IDH08G65C6XKSA1

partiture parte: 18927

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 20A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.35V @ 8A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

D770N12TXPSA1

partiture parte: 2033

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 770A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.08V @ 400A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D1050N12TXPSA1

partiture parte: 2267

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1050A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 1000A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDP08E65D1XKSA1

partiture parte: 67894

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 80ns,

D770N20TXPSA1

partiture parte: 2099

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 2000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 770A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.08V @ 400A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D820N20TXPSA1

partiture parte: 2264

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 2000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 820A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 750A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDH05G120C5XKSA1

partiture parte: 13098

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 5A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

IDH10G120C5XKSA1

partiture parte: 8281

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 10A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

IDP15E65D2XKSA1

partiture parte: 59599

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.3V @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 47ns,

IDW12G65C5XKSA1

partiture parte: 12018

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 12A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

IDH20G120C5XKSA1

partiture parte: 4502

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 56A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 20A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

IDV06S60CXKSA1

partiture parte: 1555

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 6A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 6A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

HFA15PB60PBF

partiture parte: 26323

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 60ns,

IDH06G65C5XKSA1

partiture parte: 1624

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 6A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 6A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

IDW30G65C5FKSA1

partiture parte: 1668

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 30A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 30A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

IDW10G65C5FKSA1

partiture parte: 1640

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 10A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

IDB12E120ATMA1

partiture parte: 1490

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 28A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.15V @ 12A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 150ns,

IDP09E120

partiture parte: 1554

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 23A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.15V @ 9A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 140ns,

IDH20G65C5XKSA1

partiture parte: 1630

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 20A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 20A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

IDB23E60ATMA1

partiture parte: 1521

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 41A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2V @ 23A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 120ns,

IDD03SG60CXTMA1

partiture parte: 1478

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.3V @ 3A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

IDB15E60

partiture parte: 1514

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 29.2A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2V @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 87ns,

IDH03G65C5XKSA1

partiture parte: 1609

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 3A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

IDV05S60CXKSA1

partiture parte: 1514

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 5A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

IDW16G65C5FKSA1

partiture parte: 5259

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 16A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 16A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

IDP06E60

partiture parte: 1466

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 14.7A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2V @ 6A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 70ns,

IDH08G65C5XKSA1

partiture parte: 1682

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 8A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

IDB45E60ATMA1

partiture parte: 1500

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 71A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2V @ 45A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 140ns,

IDW12G65C5FKSA1

partiture parte: 1666

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 12A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

IDH09G65C5XKSA1

partiture parte: 1642

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 9A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 9A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

IDH10G65C6XKSA1

partiture parte: 15125

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 24A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.35V @ 10A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

IDV30E60C

partiture parte: 5572

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 21A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.05V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 130ns,