Diodi - Raddrizzatori - Unicu

IDC05S60CEX1SA1

partiture parte: 2377

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 5A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

IDH02G65C5XKSA1

partiture parte: 5266

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 2A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

IDK09G65C5XTMA1

partiture parte: 2371

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 9A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 9A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

IDC08S60CEX1SA2

partiture parte: 2399

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 8A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

IDL02G65C5XUMA1

partiture parte: 2331

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 2A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

IDP30E120XKSA1

partiture parte: 34878

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 50A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.15V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 243ns,

IDB06S60CATMA2

partiture parte: 2626

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 6A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 6A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

IRD3CH101DB6

partiture parte: 2341

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.7V @ 200A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 360ns,

IRD3CH24DF6

partiture parte: 2382

IDK12G65C5XTMA1

partiture parte: 2311

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 12A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

IDC04S60CEX7SA1

partiture parte: 2434

IDL04G65C5XUMA1

partiture parte: 2353

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 4A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 4A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

IDW75E60FKSA1

partiture parte: 1516

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 120A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2V @ 75A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 121ns,

IDK06G65C5XTMA1

partiture parte: 2335

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 6A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 6A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

IRD3CH11DF6

partiture parte: 2342

IDW40G65C5XKSA1

partiture parte: 4319

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 40A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 40A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

IDC08S60CEX7SA1

partiture parte: 2440

IDW15S120FKSA1

partiture parte: 2436

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 15A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 15A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

IDH12G65C5XKSA1

partiture parte: 2289

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 12A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

D1050N14TXPSA1

partiture parte: 2299

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1050A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 1000A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDH12G65C6XKSA1

partiture parte: 12700

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 27A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.35V @ 12A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

IRD3CH82DB6

partiture parte: 5258

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 150A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.7V @ 150A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 355ns,

IDL08G65C5XUMA1

partiture parte: 2367

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 8A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

IRD3CH24DD6

partiture parte: 5312

IDW15E65D2FKSA1

partiture parte: 41876

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.3V @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 47ns,

IRD3CH53DF6

partiture parte: 2322

D1050N16TXPSA1

partiture parte: 2266

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1050A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 1000A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDH20G65C6XKSA1

partiture parte: 8465

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 41A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.35V @ 20A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

IRD3CH24DB6

partiture parte: 5317

IRD3CH16DF6

partiture parte: 2362

IDW10G65C5XKSA1

partiture parte: 12731

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 10A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

IRD3CH101DF6

partiture parte: 2365

IDK10G65C5XTMA1

partiture parte: 2337

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 10A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

IDH16G120C5XKSA1

partiture parte: 6043

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 16A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.95V @ 16A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

IRD3CH31DF6

partiture parte: 2321

IRD3CH42DF6

partiture parte: 2347