Diodi - Raddrizzatori - Unicu

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Diodi - Raddrizzatori - Unicu

Infineon Technologies

IDH15S120AKSA1

partiture parte: 889

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 15A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 15A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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IDD12SG60CXTMA1

Infineon Technologies

IDD12SG60CXTMA1

partiture parte: 20456

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.1V @ 12A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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IDH04SG60CXKSA1

Infineon Technologies

IDH04SG60CXKSA1

partiture parte: 817

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 4A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.3V @ 4A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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Infineon Technologies

IDH05S120AKSA1

partiture parte: 891

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 5A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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IDH03SG60CXKSA1

Infineon Technologies

IDH03SG60CXKSA1

partiture parte: 855

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.3V @ 3A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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IDH05SG60CXKSA1

Infineon Technologies

IDH05SG60CXKSA1

partiture parte: 839

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.3V @ 5A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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IDH02SG120XKSA1

Infineon Technologies

IDH02SG120XKSA1

partiture parte: 831

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 2A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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IDH10SG60CXKSA1

Infineon Technologies

IDH10SG60CXKSA1

partiture parte: 816

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.1V @ 10A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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IDD06SG60CXTMA1

Infineon Technologies

IDD06SG60CXTMA1

partiture parte: 813

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 6A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.3V @ 6A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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Infineon Technologies

IDH10S120AKSA1

partiture parte: 888

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 10A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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Infineon Technologies

IDH08S120AKSA1

partiture parte: 810

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 7.5A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 7.5A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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IDH12SG60CXKSA1

Infineon Technologies

IDH12SG60CXKSA1

partiture parte: 900

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.1V @ 12A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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Infineon Technologies

IDB06S60C

partiture parte: 5151

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 6A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 6A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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IDD08SG60CXTMA1

Infineon Technologies

IDD08SG60CXTMA1

partiture parte: 811

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.1V @ 8A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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IDH06SG60CXKSA1

Infineon Technologies

IDH06SG60CXKSA1

partiture parte: 5122

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 6A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.3V @ 6A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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Infineon Technologies

IDV02S60CXKSA1

partiture parte: 828

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.9V @ 2A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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IDH09SG60CXKSA1

Infineon Technologies

IDH09SG60CXKSA1

partiture parte: 812

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 9A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.1V @ 9A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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Infineon Technologies

IDB10S60C

partiture parte: 875

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 10A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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IDD04SG60CXTMA1

Infineon Technologies

IDD04SG60CXTMA1

partiture parte: 834

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5.6A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.3V @ 4A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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Infineon Technologies

IDH06S60CAKSA1

partiture parte: 502

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 6A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 6A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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Infineon Technologies

SIDC06D60C6

partiture parte: 477

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 20A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.95V @ 20A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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SIDC78D170HX1SA1

Infineon Technologies

SIDC78D170HX1SA1

partiture parte: 521

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1700V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 150A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 150A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Infineon Technologies

IDH04S60CAKSA1

partiture parte: 556

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 4A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.9V @ 4A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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SIDC09D60E6X1SA1

Infineon Technologies

SIDC09D60E6X1SA1

partiture parte: 552

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 20A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 20A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 150ns,

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SIDC30D60E6X1SA1

Infineon Technologies

SIDC30D60E6X1SA1

partiture parte: 571

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 75A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 75A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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SIDC73D170E6X1SA2

Infineon Technologies

SIDC73D170E6X1SA2

partiture parte: 517

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1700V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 100A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.15V @ 100A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Infineon Technologies

SIDC16D60SIC3

partiture parte: 502

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 5A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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SIDC56D120E6X1SA1

Infineon Technologies

SIDC56D120E6X1SA1

partiture parte: 5106

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 75A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.9V @ 75A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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SIDC23D120F6X1SA1

Infineon Technologies

SIDC23D120F6X1SA1

partiture parte: 552

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 25A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.1V @ 25A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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SIDC09D60E6YX1SA1

Infineon Technologies

SIDC09D60E6YX1SA1

partiture parte: 523

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 20A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 20A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 150ns,

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Infineon Technologies

SIDC08D60C6Y

partiture parte: 497

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 30A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.95V @ 30A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Infineon Technologies

SIDC14D60C6Y

partiture parte: 543

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 50A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.9V @ 50A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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SIDC08D120H6X1SA1

Infineon Technologies

SIDC08D120H6X1SA1

partiture parte: 504

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.6V @ 10A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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SIDC56D170E6X1SA1

Infineon Technologies

SIDC56D170E6X1SA1

partiture parte: 577

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1700V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 75A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.15V @ 75A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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SIDC09D60E6 UNSAWN

Infineon Technologies

SIDC09D60E6 UNSAWN

partiture parte: 518

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 20A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 20A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 150ns,

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SIDC02D60F6X1SA1

Infineon Technologies

SIDC02D60F6X1SA1

partiture parte: 525

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.6V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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