Diodi - Raddrizzatori - Unicu

D2700U45X122XOSA1

partiture parte: 287

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 4500V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2900A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D2601NH90TXPSA1

partiture parte: 324

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 9000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1790A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 5.5V @ 4000A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D1961SH45TXPSA1

partiture parte: 307

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 4500V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2380A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.5V @ 2500A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D2601N85TXPSA1

partiture parte: 304

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 8500V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3040A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IRD3CH9DD6

partiture parte: 5330

IDP45E60XKSA1

partiture parte: 38822

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 71A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2V @ 45A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 140ns,

IDP23011XUMA1

partiture parte: 34916

IDK04G65C5XTMA1

partiture parte: 2364

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 4A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 4A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

IRD3CH53DB6

partiture parte: 2397

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.7V @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 270ns,

IDW16G65C5XKSA1

partiture parte: 9090

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 16A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 16A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

IRD3CH9DB6

partiture parte: 2378

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.7V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 154ns,

IRD3CH16DD6

partiture parte: 2386

IDFW40E65D1EXKSA1

partiture parte: 1902

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 42A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.1V @ 40A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 76ns,

IRD3CH42DD6

partiture parte: 2407

IRD3CH101DD6

partiture parte: 2319

IDW40E65D2FKSA1

partiture parte: 30469

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 80A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.3V @ 40A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

IRD3CH82DF6

partiture parte: 2356

IRD3CH16DB6

partiture parte: 2357

IRD3CH5BD6

partiture parte: 5238

IDC08S60CEX1SA3

partiture parte: 2424

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 8A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

IDH08G120C5XKSA1

partiture parte: 10387

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.95V @ 8A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

IDK02G65C5XTMA1

partiture parte: 2297

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 2A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

IDH20G65C5XKSA2

partiture parte: 7574

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 20A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 20A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

IDL12G65C5XUMA1

partiture parte: 2364

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 12A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

IRD3CH31DB6

partiture parte: 2327

IDB10S60CATMA2

partiture parte: 5332

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 10A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

IRD3CH42DB6

partiture parte: 2339

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 75A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.7V @ 75A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 285ns,

IRD3CH82DD6

partiture parte: 2324

IRD3CH11DB6

partiture parte: 2369

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 25A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.7V @ 25A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 190ns,

IDK08G65C5XTMA1

partiture parte: 2324

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 8A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

IRD3CH5DB6

partiture parte: 5234

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.7V @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 96ns,

IDP08E65D2XKSA1

partiture parte: 68501

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.3V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 40ns,

IDL10G65C5XUMA1

partiture parte: 2296

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 10A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

IDC04S60CEX1SA1

partiture parte: 2355

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 4A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.9V @ 4A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

IDK03G65C5XTMA1

partiture parte: 2298

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 3A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

IDK05G65C5XTMA1

partiture parte: 2285

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 5A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,