Diodi - Raddrizzatori - Unicu | Prudutti Discreti à Semiconduttore | 62

APT15D120BG

partiture parte: 27879

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.5V @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 260ns,

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Microsemi Corporation

APT60D20BG

partiture parte: 15775

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 31ns,

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Microsemi Corporation

APT30D40BG

partiture parte: 24569

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 32ns,

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Microsemi Corporation

APT75DQ100BG

partiture parte: 17256

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 75A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 3V @ 75A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 250ns,

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Microsemi Corporation

APT30D100BG

partiture parte: 14807

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.3V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 290ns,

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Microsemi Corporation

APT60S20SG

partiture parte: 14639

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 75A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 900mV @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 55ns,

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Microsemi Corporation

APT60D120SG

partiture parte: 10268

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.5V @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 400ns,

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Microsemi Corporation

APT60D100SG

partiture parte: 11649

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.5V @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 280ns,

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Microsemi Corporation

APT60S20SG/TR

partiture parte: 15963

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 75A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 900mV @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 55ns,

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Microsemi Corporation

APT15DQ100KG

partiture parte: 41662

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 3V @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 235ns,

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Microsemi Corporation

APT15D120KG

partiture parte: 26049

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.5V @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 260ns,

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Microsemi Corporation

APT15D100KG

partiture parte: 31032

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.3V @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 260ns,

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Microsemi Corporation

APT15D60KG

partiture parte: 37450

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 80ns,

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Microsemi Corporation

APT30DQ100KG

partiture parte: 40276

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 3V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 295ns,

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Microsemi Corporation

APT15DQ120BG

partiture parte: 23497

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 3.3V @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 240ns,

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Microsemi Corporation

APT40DQ120BG

partiture parte: 16537

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 40A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 3.3V @ 40A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 350ns,

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Microsemi Corporation

APT60DQ120BG

partiture parte: 17139

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 3.3V @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 320ns,

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Microsemi Corporation

APT30DQ120KG

partiture parte: 32737

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 3.3V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 320ns,

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Microsemi Corporation

APTDF430U100G

partiture parte: 1449

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 500A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.3V @ 500A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 120ns,

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Microsemi Corporation

APTDF500U20G

partiture parte: 1229

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 500A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 500A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 70ns,

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Microsemi Corporation

APTDF400U120G

partiture parte: 1268

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 450A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.5V @ 500A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 110ns,

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Microsemi Corporation

APTDF450U60G

partiture parte: 1211

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 500A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 500A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 115ns,

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Microsemi Corporation

APT15D100BG

partiture parte: 19918

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.3V @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 260ns,

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Microsemi Corporation

APT60D40BG

partiture parte: 11607

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 37ns,

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Microsemi Corporation

APT30D30BG

partiture parte: 17955

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 25ns,

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Microsemi Corporation

APT75DQ120BG

partiture parte: 10460

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 75A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 3.1V @ 75A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 325ns,

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Microsemi Corporation

APTDF500U40G

partiture parte: 1279

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 500A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 500A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 120ns,

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Microsemi Corporation

APT60DQ100BG

partiture parte: 15175

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 3V @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 255ns,

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Microsemi Corporation

APT30D120BG

partiture parte: 16870

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.5V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 370ns,

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Microsemi Corporation

APT60D120BG

partiture parte: 8766

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.5V @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 400ns,

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Microsemi Corporation

APT60DQ60BG

partiture parte: 18546

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.4V @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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Microsemi Corporation

APT30DQ120BG

partiture parte: 18154

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 3.3V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 320ns,

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Microsemi Corporation

APT60D100BG

partiture parte: 10598

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.5V @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 280ns,

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Microsemi Corporation

APT30DQ100BG

partiture parte: 21807

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 3V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 295ns,

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Microsemi Corporation

APT30DQ60KG

partiture parte: 34559

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.4V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 30ns,

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Microsemi Corporation

APT30SCD65B

partiture parte: 6238

Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 650V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 46A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 30A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 0ns,

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