Diodi - Raddrizzatori - Unicu | Prudutti Discreti à Semiconduttore | 62

JAN1N5621

partiture parte: 10016

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.6V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 300ns,

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Microsemi Corporation

JANTX1N4249

partiture parte: 5871

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 3A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 5µs,

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Microsemi Corporation

CDLL4150

partiture parte: 28429

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 75V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 300mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 200mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4ns,

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Microsemi Corporation

JAN1N3957

partiture parte: 9734

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

UES1306

partiture parte: 2232

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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Microsemi Corporation

JAN1N5802US

partiture parte: 6284

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 975mV @ 2.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 25ns,

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Microsemi Corporation

JAN1N6639

partiture parte: 8304

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 75V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 300mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 300mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4ns,

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Microsemi Corporation

JANTX1N5712-1

partiture parte: 70

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 750mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 35mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

JAN1N3612

partiture parte: 9277

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

JAN1N5420US

partiture parte: 5572

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 9A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 400ns,

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Microsemi Corporation

JAN1N4245

partiture parte: 13258

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 3A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 5µs,

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Microsemi Corporation

JAN1N6642

partiture parte: 8368

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 75V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 300mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 100mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 5ns,

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Microsemi Corporation

JAN1N5415US

partiture parte: 7025

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 9A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 150ns,

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Microsemi Corporation

JAN1N5623

partiture parte: 7303

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.6V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 500ns,

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Microsemi Corporation

JANTX1N4150-1

partiture parte: 19910

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 200mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4ns,

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Microsemi Corporation

JAN1N5614US

partiture parte: 5706

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 3A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 2µs,

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Microsemi Corporation

JAN1N5809US

partiture parte: 6978

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 6A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 875mV @ 4A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 30ns,

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Microsemi Corporation

JAN1N5618

partiture parte: 9587

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 3A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 2µs,

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Microsemi Corporation

JAN1N5187

partiture parte: 7830

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 9A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 200ns,

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Microsemi Corporation

JAN1N5551US

partiture parte: 5402

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 9A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 2µs,

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Microsemi Corporation

CDLL4153

partiture parte: 57779

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 75V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 150mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 880mV @ 20mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4ns,

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Microsemi Corporation

CDLL5818

partiture parte: 8467

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 600mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

JANTX1N914

partiture parte: 15798

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 75V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 50mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 5ns,

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Microsemi Corporation

JANTX1N5806

partiture parte: 5118

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 875mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 25ns,

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Microsemi Corporation

JAN1N5809

partiture parte: 7624

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 6A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 875mV @ 4A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 30ns,

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Microsemi Corporation

CDLL6760

partiture parte: 20836

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 690mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

JAN1N5619

partiture parte: 8921

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.6V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 250ns,

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Microsemi Corporation

CDLL5712

partiture parte: 7920

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 75mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 35mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Microsemi Corporation

JAN1N5802

partiture parte: 8650

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 975mV @ 2.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 25ns,

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Microsemi Corporation

JAN1N5419US

partiture parte: 5565

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 500V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 9A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 250ns,

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Microsemi Corporation

JAN1N4246

partiture parte: 13211

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 3A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 5µs,

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Microsemi Corporation

CDLL6676

partiture parte: 26054

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 500mV @ 200mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Microsemi Corporation

JANTX1N6643

partiture parte: 6421

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 125V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 300mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 100mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 6ns,

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Microsemi Corporation

JAN1N5190

partiture parte: 5480

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 9A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 400ns,

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Microsemi Corporation

JAN1N6638

partiture parte: 8369

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 300mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 200mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 20ns,

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Microsemi Corporation

JAN1N3595UR-1

partiture parte: 8333

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 125V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 150mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 920mV @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 3µs,

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