Transistori - IGBT - Moduli | Prudutti Discreti à Semiconduttore | 16

APTGT75TA60PG

partiture parte: 546

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Three Phase, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 100A, Potenza - Max: 250W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGV100H60BTPG

partiture parte: 5307

Tipu IGBT: NPT, Trench Field Stop, Cunfigurazione: Boost Chopper, Full Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 150A, Potenza - Max: 340W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APTGT75SK120T1G

partiture parte: 531

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 110A, Potenza - Max: 357W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGT75SK120D1G

partiture parte: 541

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 110A, Potenza - Max: 357W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGT75DH60TG

partiture parte: 521

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Asymmetrical Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 100A, Potenza - Max: 250W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGT75DSK60T3G

partiture parte: 490

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Dual Buck Chopper, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 100A, Potenza - Max: 250W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGT75DH120TG

partiture parte: 478

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Asymmetrical Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 110A, Potenza - Max: 357W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGT75DA170T1G

partiture parte: 540

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1700V, Current - Collector (Ic) (Max): 130A, Potenza - Max: 465W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGT75DA170D1G

partiture parte: 464

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1700V, Current - Collector (Ic) (Max): 120A, Potenza - Max: 520W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGT75DA120T1G

partiture parte: 555

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 110A, Potenza - Max: 357W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGT75A170D1G

partiture parte: 545

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Half Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1700V, Current - Collector (Ic) (Max): 120A, Potenza - Max: 520W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGT75DA120D1G

partiture parte: 548

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 110A, Potenza - Max: 357W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGT75A120D1G

partiture parte: 526

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Half Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 110A, Potenza - Max: 357W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGT580U60D4G

partiture parte: 526

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 760A, Potenza - Max: 1600W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 600A,

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Microsemi Corporation

APTGT50TA170PG

partiture parte: 482

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Three Phase, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1700V, Current - Collector (Ic) (Max): 70A, Potenza - Max: 310W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGT50SK170D1G

partiture parte: 514

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1700V, Current - Collector (Ic) (Max): 70A, Potenza - Max: 310W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGT50DU170TG

partiture parte: 476

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Dual, Common Source, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1700V, Current - Collector (Ic) (Max): 75A, Potenza - Max: 312W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGT50DSK60T3G

partiture parte: 541

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Dual Buck Chopper, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 80A, Potenza - Max: 176W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGT50DSK120T3G

partiture parte: 552

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Dual Buck Chopper, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 75A, Potenza - Max: 270W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGT50DH60TG

partiture parte: 528

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Asymmetrical Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 80A, Potenza - Max: 176W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGT50DA170T1G

partiture parte: 3071

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1700V, Current - Collector (Ic) (Max): 75A, Potenza - Max: 312W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGT50DA170D1G

partiture parte: 518

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1700V, Current - Collector (Ic) (Max): 70A, Potenza - Max: 310W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGT50DA120D1G

partiture parte: 496

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 75A, Potenza - Max: 270W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGT50A170D1G

partiture parte: 535

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Half Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1700V, Current - Collector (Ic) (Max): 70A, Potenza - Max: 310W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGT50A60T1G

partiture parte: 520

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Half Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 80A, Potenza - Max: 176W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGT50A120D1G

partiture parte: 494

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Half Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 75A, Potenza - Max: 270W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGT50A120TG

partiture parte: 483

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Half Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 75A, Potenza - Max: 277W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGT450DU60G

partiture parte: 517

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Dual, Common Source, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 550A, Potenza - Max: 1750W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 450A,

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Microsemi Corporation

APTGT400SK60D3G

partiture parte: 472

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 500A, Potenza - Max: 1250W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 400A,

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Microsemi Corporation

APTGT400DA120D3G

partiture parte: 507

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 580A, Potenza - Max: 2100W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

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Microsemi Corporation

APTGT400SK120D3G

partiture parte: 463

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 580A, Potenza - Max: 2100W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

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Microsemi Corporation

APTGT35SK120D1G

partiture parte: 527

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 55A, Potenza - Max: 205W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

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Microsemi Corporation

APTGT35H120T1G

partiture parte: 522

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Full Bridge Inverter, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 55A, Potenza - Max: 208W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

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Microsemi Corporation

APTGT35A120D1G

partiture parte: 463

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Half Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 55A, Potenza - Max: 205W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

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Microsemi Corporation

APTGT35DA120D1G

partiture parte: 481

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 55A, Potenza - Max: 205W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

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Microsemi Corporation

APTGT30SK170D1G

partiture parte: 507

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1700V, Current - Collector (Ic) (Max): 45A, Potenza - Max: 210W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

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