Transistori - IGBT - Moduli | Prudutti Discreti à Semiconduttore | 16

APTGL90DH120T3G

partiture parte: 541

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Asymmetrical Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 110A, Potenza - Max: 385W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGF50DSK120T3G

partiture parte: 556

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Dual Buck Chopper, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 70A, Potenza - Max: 312W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGL60DH120T3G

partiture parte: 534

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Asymmetrical Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 80A, Potenza - Max: 280W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGF50DH120T3G

partiture parte: 607

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Asymmetrical Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 70A, Potenza - Max: 312W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGF25H120T2G

partiture parte: 579

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Full Bridge Inverter, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 40A, Potenza - Max: 208W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A,

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Microsemi Corporation

APTGF100A120T3AG

partiture parte: 542

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Half Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 130A, Potenza - Max: 780W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APTGF150A60T3AG

partiture parte: 560

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Half Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 230A, Potenza - Max: 833W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

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Microsemi Corporation

APTCV60HM70BT3G

partiture parte: 5334

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Boost Chopper, Full Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 50A, Potenza - Max: 250W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTCV60HM70RT3G

partiture parte: 574

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Full Bridge Inverter, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 50A, Potenza - Max: 250W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APT70GR120J

partiture parte: 2416

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 112A, Potenza - Max: 543W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A,

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Microsemi Corporation

APT50GR120JD30

partiture parte: 2286

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 84A, Potenza - Max: 417W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APT200GN60J

partiture parte: 2197

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 283A, Potenza - Max: 682W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A,

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Microsemi Corporation

APTGF50VDA120T3G

partiture parte: 578

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Dual Boost Chopper, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 70A, Potenza - Max: 312W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGF50VDA60T3G

partiture parte: 3071

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Dual Boost Chopper, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 65A, Potenza - Max: 250W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGF50H60T2G

partiture parte: 594

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Full Bridge Inverter, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 65A, Potenza - Max: 250W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGF150A120T3AG

partiture parte: 580

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Half Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 210A, Potenza - Max: 1041W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

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Microsemi Corporation

APTGF100A1202G

partiture parte: 540

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Half Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 135A, Potenza - Max: 568W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APTGF50DDA120T3G

partiture parte: 546

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Dual Boost Chopper, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 70A, Potenza - Max: 312W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGF90DH60T3G

partiture parte: 581

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Asymmetrical Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 110A, Potenza - Max: 416W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APTGF150A120T3WG

partiture parte: 600

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Half Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 210A, Potenza - Max: 961W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

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Microsemi Corporation

APTGF50DH60T1G

partiture parte: 546

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Asymmetrical Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 65A, Potenza - Max: 250W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGF50TL60T3G

partiture parte: 585

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Three Level Inverter, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 65A, Potenza - Max: 250W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGF30TL601G

partiture parte: 3077

Tipu IGBT: NPT, Cunfigurazione: Three Level Inverter, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 42A, Potenza - Max: 140W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A,

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Microsemi Corporation

APTCV60TLM99T3G

partiture parte: 609

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Three Level Inverter - IGBT, FET, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 50A, Potenza - Max: 90W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

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Microsemi Corporation

APTCV90TL12T3G

partiture parte: 524

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Three Level Inverter - IGBT, FET, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 80A, Potenza - Max: 280W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APT150GN120JDQ4

partiture parte: 1322

Tipu IGBT: Trench Field Stop, Cunfigurazione: Single, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 215A, Potenza - Max: 625W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

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Microsemi Corporation

APTGV50H60T3G

partiture parte: 530

Tipu IGBT: NPT, Trench Field Stop, Cunfigurazione: Full Bridge Inverter, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 80A, Potenza - Max: 176W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGV75H60T3G

partiture parte: 491

Tipu IGBT: NPT, Trench Field Stop, Cunfigurazione: Full Bridge Inverter, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 100A, Potenza - Max: 250W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGV50H60BG

partiture parte: 539

Tipu IGBT: NPT, Trench Field Stop, Cunfigurazione: Boost Chopper, Full Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 80A, Potenza - Max: 176W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGV50H120T3G

partiture parte: 546

Tipu IGBT: NPT, Trench Field Stop, Cunfigurazione: Full Bridge Inverter, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 75A, Potenza - Max: 270W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGV30H60T3G

partiture parte: 476

Tipu IGBT: NPT, Trench Field Stop, Cunfigurazione: Full Bridge Inverter, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 50A, Potenza - Max: 90W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

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Microsemi Corporation

APTGV50H120BTPG

partiture parte: 466

Tipu IGBT: NPT, Trench Field Stop, Cunfigurazione: Boost Chopper, Full Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 75A, Potenza - Max: 270W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGV25H120BG

partiture parte: 528

Tipu IGBT: NPT, Trench Field Stop, Cunfigurazione: Boost Chopper, Full Bridge, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 40A, Potenza - Max: 156W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

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Microsemi Corporation

APTGV25H120T3G

partiture parte: 540

Tipu IGBT: NPT, Trench Field Stop, Cunfigurazione: Full Bridge Inverter, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 40A, Potenza - Max: 156W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

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Microsemi Corporation

APTGV100H60T3G

partiture parte: 546

Tipu IGBT: NPT, Trench Field Stop, Cunfigurazione: Full Bridge Inverter, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 600V, Current - Collector (Ic) (Max): 150A, Potenza - Max: 340W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APTGV15H120T3G

partiture parte: 487

Tipu IGBT: NPT, Trench Field Stop, Cunfigurazione: Full Bridge Inverter, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 1200V, Current - Collector (Ic) (Max): 25A, Potenza - Max: 115W, Vce (attivatu) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A,

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