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Diodi - Raddrizzatori - Unicu

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S3ABHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S3ABHM4G

partiture parte: 111

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.15V @ 3A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.5µs,

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S4D V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S4D V6G

partiture parte: 142

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 4A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.5µs,

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SK29AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK29AHM2G

partiture parte: 59

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 90V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 850mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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S12GC V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

S12GC V7G

partiture parte: 58

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 12A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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RS1B M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1B M2G

partiture parte: 48

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 150ns,

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SFF1008GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1008GHC0G

partiture parte: 61

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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MUR305S V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR305S V6G

partiture parte: 100

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 25ns,

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ESH3B V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

ESH3B V7G

partiture parte: 74

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 20ns,

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SSL13HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SSL13HM2G

partiture parte: 134

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 390mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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ES3F V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES3F V6G

partiture parte: 116

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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ES2DHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2DHM4G

partiture parte: 119

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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SK39A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK39A M2G

partiture parte: 110

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 90V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 850mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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HS3J V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS3J V6G

partiture parte: 53

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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SS110HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS110HR3G

partiture parte: 99

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 500mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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RS1K M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1K M2G

partiture parte: 111

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 500ns,

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SK515C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK515C V6G

partiture parte: 140

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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US1AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

US1AHR3G

partiture parte: 67

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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SSL24 M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SSL24 M4G

partiture parte: 109

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 410mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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ES1AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1AHM2G

partiture parte: 50

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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ESH1B M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ESH1B M2G

partiture parte: 103

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 900mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 15ns,

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US1K M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

US1K M2G

partiture parte: 113

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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SK13B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK13B R5G

partiture parte: 79

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 500mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
SFF1602GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1602GHC0G

partiture parte: 107

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 16A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 975mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

Wishlist
ES2CAHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2CAHR3G

partiture parte: 121

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

Wishlist
HS2K M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS2K M4G

partiture parte: 107

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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S2JA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

S2JA M2G

partiture parte: 54

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1.5A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.5µs,

Wishlist
S1D M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1D M2G

partiture parte: 142

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.5µs,

Wishlist
SK215AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK215AHM2G

partiture parte: 62

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
SK115BHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK115BHM4G

partiture parte: 97

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
SK26AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK26AHM2G

partiture parte: 100

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 700mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
S2B M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S2B M4G

partiture parte: 119

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.15V @ 2A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.5µs,

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MUR440S V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR440S V6G

partiture parte: 84

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 4A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

Wishlist
HS2KA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS2KA M2G

partiture parte: 102

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 1.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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SSL12HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SSL12HM2G

partiture parte: 138

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 390mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SK52C V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK52C V7G

partiture parte: 75

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 550mV @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
SK32AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK32AHM2G

partiture parte: 62

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 550mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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