Diodi - Raddrizzatori - Unicu

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Diodi - Raddrizzatori - Unicu

Taiwan Semiconductor Corporation

ES2FHM4G

partiture parte: 93

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

HS2G M4G

partiture parte: 106

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK320AHM2G

partiture parte: 75

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

S3MB M4G

partiture parte: 69

Tipu di Diode: Standard, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.15V @ 3A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.5µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK83C V7G

partiture parte: 111

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

RS3G V7G

partiture parte: 130

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 150ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK13B M4G

partiture parte: 70

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 500mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

RS2K M4G

partiture parte: 97

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 500ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

S12GC V6G

partiture parte: 65

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

RS3M V6G

partiture parte: 56

Tipu di Diode: Standard, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 500ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

ESH3C V6G

partiture parte: 130

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 20ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

S12JC V6G

partiture parte: 107

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

S1AB R5G

partiture parte: 75

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS34 V6G

partiture parte: 126

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

S2A M4G

partiture parte: 77

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.15V @ 2A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.5µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK84C V7G

partiture parte: 140

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

S12JC V7G

partiture parte: 89

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 12A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK83C V6G

partiture parte: 142

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS320 V6G

partiture parte: 90

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

ES3B V7G

partiture parte: 123

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS29 M4G

partiture parte: 57

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 90V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 850mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS23HM4G

partiture parte: 115

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 500mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

RS2KA M2G

partiture parte: 105

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 500ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK59BHM4G

partiture parte: 61

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 90V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 850mV @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

RS2MA M2G

partiture parte: 130

Tipu di Diode: Standard, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 500ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS22HR5G

partiture parte: 112

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 500mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

ESH2B R5G

partiture parte: 76

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 900mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 20ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

S1MBHM4G

partiture parte: 119

Tipu di Diode: Standard, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK35AHR3G

partiture parte: 53

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 720mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

ESH1B R3G

partiture parte: 144

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 900mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 15ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

US1GHR3G

partiture parte: 102

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

ESH2BA R3G

partiture parte: 67

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 900mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 25ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS33 V6G

partiture parte: 58

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

S4K V6G

partiture parte: 87

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 4A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.5µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK23A M2G

partiture parte: 111

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 500mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK19BHM4G

partiture parte: 128

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 90V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 850mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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