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Diodi - Raddrizzatori - Unicu

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S3DBHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S3DBHM4G

partiture parte: 144

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.15V @ 3A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.5µs,

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SK210AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK210AHM2G

partiture parte: 69

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 850mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SK54BHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK54BHM4G

partiture parte: 49

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 550mV @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SK26A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK26A M2G

partiture parte: 91

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 700mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SSL22HR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

SSL22HR5G

partiture parte: 61

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 410mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SK310A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK310A M2G

partiture parte: 116

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 850mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SK53B M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK53B M4G

partiture parte: 46

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 550mV @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SK35BHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK35BHR5G

partiture parte: 54

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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ES2BAHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2BAHR3G

partiture parte: 140

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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SSL24HM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SSL24HM4G

partiture parte: 105

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 410mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SSL33 V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SSL33 V6G

partiture parte: 82

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SK15B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK15B R5G

partiture parte: 59

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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ESH2DA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ESH2DA M2G

partiture parte: 81

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 900mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 25ns,

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US1B M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

US1B M2G

partiture parte: 48

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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SK24A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK24A M2G

partiture parte: 117

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 500mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SK59C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK59C V6G

partiture parte: 78

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 90V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 850mV @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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S1KBHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1KBHM4G

partiture parte: 143

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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SK35A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK35A M2G

partiture parte: 112

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 720mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SS39 V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS39 V6G

partiture parte: 84

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 90V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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HS1F R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS1F R3G

partiture parte: 121

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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SK36AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK36AHM2G

partiture parte: 143

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 720mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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RS3M V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS3M V7G

partiture parte: 128

Tipu di Diode: Standard, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 500ns,

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S2DA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

S2DA M2G

partiture parte: 119

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1.5A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.5µs,

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US1MHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

US1MHM2G

partiture parte: 115

Tipu di Diode: Standard, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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SK315BHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK315BHM4G

partiture parte: 101

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
SK24AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK24AHM2G

partiture parte: 120

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 500mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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TSOD1F6HM RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSOD1F6HM RVG

partiture parte: 92

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 250ns,

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US1KHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

US1KHM2G

partiture parte: 125

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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RS1BHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1BHR3G

partiture parte: 94

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 150ns,

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S2BHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S2BHM4G

partiture parte: 95

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.15V @ 2A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.5µs,

Wishlist
S2KHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

S2KHR5G

partiture parte: 134

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.15V @ 2A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.5µs,

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US1JHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

US1JHR3G

partiture parte: 107

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

Wishlist
SK36A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK36A M2G

partiture parte: 139

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 720mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MUR160SHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR160SHM4G

partiture parte: 125

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

Wishlist
S5A V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S5A V6G

partiture parte: 134

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.5µs,

Wishlist
RS2AA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS2AA M2G

partiture parte: 54

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 150ns,

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