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Diodi - Raddrizzatori - Unicu

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SFS1003GHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SFS1003GHMNG

partiture parte: 68

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 975mV @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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SFAF804G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF804G C0G

partiture parte: 74

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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SFAF1607GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF1607GHC0G

partiture parte: 105

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 500V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 16A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 16A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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MBRF7100 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF7100 C0G

partiture parte: 122

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 7.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 920mV @ 7.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SFAF1005G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF1005G C0G

partiture parte: 66

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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SFS1007G MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SFS1007G MNG

partiture parte: 78

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 500V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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MBRF16150HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF16150HC0G

partiture parte: 163

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 16A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 16A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SFAF2007G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF2007G C0G

partiture parte: 87

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 500V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 20A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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MBRF750 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF750 C0G

partiture parte: 102

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 7.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 7.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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UGF8JD C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF8JD C0G

partiture parte: 123

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.3V @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 30ns,

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RS1MFS MXG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1MFS MXG

partiture parte: 77

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 500ns,

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ES15GLW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES15GLW RVG

partiture parte: 142

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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SFS1008GHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SFS1008GHMNG

partiture parte: 125

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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SFF2007G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF2007G C0G

partiture parte: 68

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 500V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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SFF501GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF501GHC0G

partiture parte: 143

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 980mV @ 2.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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SFF505G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF505G C0G

partiture parte: 115

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 2.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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RS1JFS MXG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1JFS MXG

partiture parte: 97

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 250ns,

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MBRF10150 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF10150 C0G

partiture parte: 73

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.05V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRS10100 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS10100 MNG

partiture parte: 104

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SR1040 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1040 C0G

partiture parte: 144

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 550mV @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
SFF2003GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF2003GHC0G

partiture parte: 86

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 975mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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MBRF1035HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1035HC0G

partiture parte: 105

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 35V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 700mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MURF8L60 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MURF8L60 C0G

partiture parte: 118

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 65ns,

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SFAF807G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF807G C0G

partiture parte: 124

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 500V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

Wishlist
SFAF2002G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF2002G C0G

partiture parte: 73

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 975mV @ 20A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

Wishlist
MBRF1690 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1690 C0G

partiture parte: 77

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 90V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 16A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 850mV @ 16A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
SFAF1003GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF1003GHC0G

partiture parte: 90

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 975mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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SFAF2006GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF2006GHC0G

partiture parte: 84

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 20A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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SS1H15LW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS1H15LW RVG

partiture parte: 114

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 850mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
MBR1650HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1650HC0G

partiture parte: 104

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 16A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 16A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRF5100 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF5100 C0G

partiture parte: 132

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 900mV @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SFF1006GAHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1006GAHC0G

partiture parte: 136

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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SFF2001G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF2001G C0G

partiture parte: 85

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 975mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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MBRF1660 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1660 C0G

partiture parte: 73

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 16A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 16A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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UGF12JD C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF12JD C0G

partiture parte: 105

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 3.1V @ 12A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 45ns,

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UGA8120HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGA8120HC0G

partiture parte: 76

Tipu di Diode: Standard, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.8V @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 70ns,

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