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Diodi - Raddrizzatori - Unicu

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SF2006G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF2006G C0G

partiture parte: 94

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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SFAF1608GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF1608GHC0G

partiture parte: 72

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 16A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 16A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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SFF1605G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1605G C0G

partiture parte: 84

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 16A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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HERAF1602G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERAF1602G C0G

partiture parte: 127

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 16A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 16A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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HERAF804G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERAF804G C0G

partiture parte: 91

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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LSR106 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

LSR106 L0G

partiture parte: 113

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 700mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SFF2006GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF2006GHC0G

partiture parte: 79

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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ES15GLWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES15GLWHRVG

partiture parte: 149

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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SFF2005G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF2005G C0G

partiture parte: 85

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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MBRF2035 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2035 C0G

partiture parte: 85

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 35V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 20A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SFS1003G MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SFS1003G MNG

partiture parte: 147

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 975mV @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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MBR1645 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1645 C0G

partiture parte: 144

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 16A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 630mV @ 16A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SFF1002G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1002G C0G

partiture parte: 78

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 975mV @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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HERA801G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERA801G C0G

partiture parte: 75

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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HERAF1004G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERAF1004G C0G

partiture parte: 72

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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GPA805HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GPA805HC0G

partiture parte: 74

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 8A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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ES15DLW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES15DLW RVG

partiture parte: 117

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 1.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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SR1060 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1060 C0G

partiture parte: 77

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 700mV @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
SRA1040HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRA1040HC0G

partiture parte: 131

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 550mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
MUR820 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR820 C0G

partiture parte: 109

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 975mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 25ns,

Wishlist
SFF2002G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF2002G C0G

partiture parte: 115

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 975mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

Wishlist
MBRF7150HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF7150HC0G

partiture parte: 108

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 7.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.02V @ 7.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
SFAF502G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF502G C0G

partiture parte: 136

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 975mV @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

Wishlist
SFAF1002G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF1002G C0G

partiture parte: 103

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 975mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

Wishlist
UGF10J C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF10J C0G

partiture parte: 118

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 25ns,

Wishlist
SFF1001GAHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1001GAHC0G

partiture parte: 96

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 975mV @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

Wishlist
UF1GLWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation

UF1GLWHRVG

partiture parte: 111

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 20ns,

Wishlist
LSR104 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

LSR104 L0G

partiture parte: 143

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 550mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
SFAF508GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF508GHC0G

partiture parte: 84

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

Wishlist
HERAF1007G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERAF1007G C0G

partiture parte: 135

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 80ns,

Wishlist
SFAF1606G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF1606G C0G

partiture parte: 118

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 16A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 16A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

Wishlist
SFF1006GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1006GHC0G

partiture parte: 119

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

Wishlist
SFF1005GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1005GHC0G

partiture parte: 74

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

Wishlist
MBR16100 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR16100 C0G

partiture parte: 80

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 16A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 850mV @ 16A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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S1KFSHMXG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1KFSHMXG

partiture parte: 69

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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ES1JLWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1JLWHRVG

partiture parte: 147

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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