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Diodi - Raddrizzatori - Unicu

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HT14G A1G
Taiwan Semiconductor Corporation

HT14G A1G

partiture parte: 103

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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MBRF7100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF7100HC0G

partiture parte: 147

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 7.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 920mV @ 7.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SFAF802G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF802G C0G

partiture parte: 124

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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MBRF1690HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1690HC0G

partiture parte: 156

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 90V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 16A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 850mV @ 16A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SFAF2003G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF2003G C0G

partiture parte: 115

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 975mV @ 20A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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SFAF801GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF801GHC0G

partiture parte: 85

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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S1GLS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1GLS RVG

partiture parte: 99

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1.2A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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SFF1002GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1002GHC0G

partiture parte: 74

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 975mV @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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HERA803G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERA803G C0G

partiture parte: 153

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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SFAF806GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF806GHC0G

partiture parte: 87

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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MBRF1050HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1050HC0G

partiture parte: 97

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 800mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SS115LS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS115LS RVG

partiture parte: 86

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 900mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SFAS804GHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAS804GHMNG

partiture parte: 86

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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SFAF1002GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF1002GHC0G

partiture parte: 98

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 975mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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SFF1608G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1608G C0G

partiture parte: 145

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 16A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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RS1DFS MXG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1DFS MXG

partiture parte: 120

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 150ns,

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UGF12JDHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF12JDHC0G

partiture parte: 66

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 3.1V @ 12A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 45ns,

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MUR160A A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR160A A0G

partiture parte: 138

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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HERA804G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERA804G C0G

partiture parte: 69

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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SFF508G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF508G C0G

partiture parte: 160

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 2.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

Wishlist
HERAF1008G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERAF1008G C0G

partiture parte: 163

Tipu di Diode: Standard, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 80ns,

Wishlist
SFF2003G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF2003G C0G

partiture parte: 119

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 975mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

Wishlist
SFAF2008G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF2008G C0G

partiture parte: 86

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 20A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

Wishlist
LSR103 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

LSR103 L0G

partiture parte: 138

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 550mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
UGA15120HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGA15120HC0G

partiture parte: 110

Tipu di Diode: Standard, Current - Mediu Rettificatu (Io): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.9V @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 65ns,

Wishlist
SFF1007GA C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1007GA C0G

partiture parte: 85

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 500V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

Wishlist
MBR1635HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1635HC0G

partiture parte: 145

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 35V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 16A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 630mV @ 16A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
SFAF1008GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF1008GHC0G

partiture parte: 90

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

Wishlist
SFF2002GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF2002GHC0G

partiture parte: 74

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 975mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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S1DLS RQG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1DLS RQG

partiture parte: 117

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1.2A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
SFF2004GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF2004GHC0G

partiture parte: 107

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 975mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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MBRF790 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF790 C0G

partiture parte: 151

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 90V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 7.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 920mV @ 7.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
MBRF1635HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1635HC0G

partiture parte: 137

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 35V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 16A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 630mV @ 16A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
MBRF1035 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1035 C0G

partiture parte: 156

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 35V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 700mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
S1GLSHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1GLSHRQG

partiture parte: 118

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1.2A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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MBRF760 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF760 C0G

partiture parte: 155

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 7.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 7.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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