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Diodi - Raddrizzatori - Unicu

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HER106G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER106G B0G

partiture parte: 99

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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SK20H45 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK20H45 R0G

partiture parte: 136

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 550mV @ 20A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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FR104G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

FR104G R1G

partiture parte: 159

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 150ns,

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SFA805GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFA805GHC0G

partiture parte: 79

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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SF47G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF47G B0G

partiture parte: 77

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 500V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 4A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 4A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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MUR4L40 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR4L40 B0G

partiture parte: 174

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 4A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.28V @ 4A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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SRA20100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRA20100HC0G

partiture parte: 88

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 920mV @ 20A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SF16GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF16GHA0G

partiture parte: 99

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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SF34GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF34GHB0G

partiture parte: 99

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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SRAS8150HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRAS8150HMNG

partiture parte: 92

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SFA1002G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFA1002G C0G

partiture parte: 149

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 975mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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SRT19 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRT19 R0G

partiture parte: 146

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 90V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 800mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GPAS1005 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

GPAS1005 MNG

partiture parte: 136

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 10A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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SFT13G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFT13G A0G

partiture parte: 146

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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SR006HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR006HB0G

partiture parte: 151

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 500mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 700mV @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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HT16G A1G
Taiwan Semiconductor Corporation

HT16G A1G

partiture parte: 103

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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SF805G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF805G C0G

partiture parte: 176

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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SF32GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF32GHB0G

partiture parte: 158

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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SR802HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR802HA0G

partiture parte: 83

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 550mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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HER306G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER306G B0G

partiture parte: 109

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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HER601G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER601G A0G

partiture parte: 82

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 6A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 6A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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SF61G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF61G B0G

partiture parte: 104

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 6A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 975mV @ 6A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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SF35G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF35G A0G

partiture parte: 91

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

Wishlist
SR004HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR004HB0G

partiture parte: 169

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 500mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 550mV @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
SR005HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR005HB0G

partiture parte: 100

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 500mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 700mV @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
SF68GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF68GHB0G

partiture parte: 174

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 6A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 6A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

Wishlist
HT12G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HT12G R0G

partiture parte: 156

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

Wishlist
HER105G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER105G B0G

partiture parte: 151

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

Wishlist
UF1A R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

UF1A R1G

partiture parte: 105

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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SF48GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF48GHB0G

partiture parte: 113

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 4A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 4A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

Wishlist
SR109HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR109HB0G

partiture parte: 110

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 90V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 850mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
SR810 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR810 B0G

partiture parte: 117

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 920mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SR1502 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1502 B0G

partiture parte: 162

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 550mV @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
SFA1008G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFA1008G C0G

partiture parte: 139

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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MBR7100 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR7100 C0G

partiture parte: 89

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 7.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 920mV @ 7.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR745 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR745 C0G

partiture parte: 106

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 7.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 840mV @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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