Diodi - Raddrizzatori - Unicu

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Diodi - Raddrizzatori - Unicu

Taiwan Semiconductor Corporation

SFA808GHC0G

partiture parte: 167

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

UF1J R1G

partiture parte: 166

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRAF1660 C0G

partiture parte: 135

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 16A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 700mV @ 16A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

HER108G B0G

partiture parte: 151

Tipu di Diode: Standard, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SFT11G A0G

partiture parte: 165

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

UF4004HB0G

partiture parte: 113

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR315 B0G

partiture parte: 122

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 850mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF803GHC0G

partiture parte: 157

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 975mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRA1650HC0G

partiture parte: 154

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 16A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 700mV @ 16A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRA1020 C0G

partiture parte: 159

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 550mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR502 A0G

partiture parte: 167

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 550mV @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

F1T5G R0G

partiture parte: 152

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 250ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR1204 B0G

partiture parte: 118

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 550mV @ 12A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SFT12GHA1G

partiture parte: 123

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SFA803GHC0G

partiture parte: 140

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 975mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR1503 R0G

partiture parte: 173

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 550mV @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SFT16GHA1G

partiture parte: 149

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

UF1JHA0G

partiture parte: 157

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRT16 R0G

partiture parte: 107

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 700mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR504 B0G

partiture parte: 137

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 550mV @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBR750 C0G

partiture parte: 136

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 7.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 7.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF31G B0G

partiture parte: 155

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

HER605G R0G

partiture parte: 150

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 6A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 6A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR309HA0G

partiture parte: 115

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 90V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 850mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

HER308G B0G

partiture parte: 138

Tipu di Diode: Standard, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

ESJLWHRQG

partiture parte: 159

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 800mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 800mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBR7150HC0G

partiture parte: 101

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 7.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 7.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

F1T7GHA1G

partiture parte: 140

Tipu di Diode: Standard, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 500ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF38GHA0G

partiture parte: 170

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRAF5150 C0G

partiture parte: 102

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

F1T7G R0G

partiture parte: 86

Tipu di Diode: Standard, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 500ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

UF4006HB0G

partiture parte: 89

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK12H45 B0G

partiture parte: 143

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 550mV @ 12A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MUR160AHA0G

partiture parte: 173

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

UF4002 B0G

partiture parte: 90

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

UF4005HB0G

partiture parte: 92

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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